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ACE1613B 参数 Datasheet PDF下载

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型号: ACE1613B
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内容描述: N沟道增强型MOSFET [N-Channel Enhancement Mode MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 6 页 / 531 K
品牌: ACE [ ACE TECHNOLOGY CO., LTD. ]
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ACE1613B
N沟道增强型MOSFET
描述
ACE1613B采用先进的沟槽技术,提供优秀的研发
DS ( ON)
。该器件特别适合
对于低电压应用,如台式计算机或笔记本电脑电源的电源管理
管理器,DC / DC转换器。
特点
V
DS
= 25V ,我
D
= 60A ,V
GS
20V
R
DS ( ON)
@V
GS
= 10V ,我
DS
= 40A , 4.8mΩ典型值
R
DS ( ON)
@V
GS
= 4.5V ,我
DS
= 20A , 6.0mΩ典型值
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流脉冲
(注2 )
安装在PCB的最小尺寸的连续漏电流
(注1 )
总功耗
(注1 )
漏电流脉冲
(注2 )
安装在印刷电路板1英寸的
2
垫区
连续漏电流
(注1 )
总功耗
(注1 )
漏电流脉冲
(注2 )
安装在大型散热片
连续漏电流
(注1 )
总功耗
(注1 )
工作结温/储存温度范围
符号
V
DSS
V
GSS
I
DM
I
D
P
D
I
DM
I
D
P
D
I
DM
I
D
P
D
最大
25
±20
150
17
1.5
150
22
2.5
150
50
单位
V
V
A
A
W
A
A
W
A
W
O
60
(注3)
A
C
T
J
/T
英镑
-55/150
包装类型
TO-252
1.2版本
1