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    ACE1621B 参数 Datasheet PDF下载

    ACE1621B图片预览
    型号： ACE1621B
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： P沟道增强型场效应晶体管 [P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管场效应晶体管
    文件页数/大小： 6 页 / 705 K
    品牌： ACE [ ACE TECHNOLOGY CO., LTD. ]
     浏览型号ACE1621B的Datasheet PDF文件第2页浏览型号ACE1621B的Datasheet PDF文件第3页浏览型号ACE1621B的Datasheet PDF文件第4页浏览型号ACE1621B的Datasheet PDF文件第5页浏览型号ACE1621B的Datasheet PDF文件第6页  
    ACE1621B
    P沟道增强型场效应晶体管
    描述
    ACE1621B采用先进的沟槽技术，提供优秀的研发
    DS （ ON）
    。该器件特别适合
    对于低电压应用，如台式计算机或笔记本电脑电源的电源管理
    管理器，DC / DC转换器。
    特点
    V
    DS
    (V) =-30V
    I
    D
    =-60A
    R
    DS （ ON）
    @V
    GS
    = -20V ，我
    DS
    = -20A ，典型值7.5mΩ
    R
    DS （ ON）
    @V
    GS
    = -10V ，我
    DS
    = -20A ，典型值8.5mΩ
    绝对最大额定值
    参数
    漏源电压
    栅源电压
    连续漏电流*交流
    漏电流脉冲* B
    功耗
    T
    A
    =25℃
    T
    A
    =70℃
    T
    A
    =25℃
    T
    A
    =70℃
    符号最大单位
    V
    DSS
    V
    GSS
    I
    D
    I
    DM
    P
    D
    -30
    ±25
    -60
    -45
    -130
    100
    50
    V
    V
    A
    A
    W
    O
    工作结温/储存温度范围T
    J
    /T
    英镑
    -55/150
    C
    包装类型
    TO-252
    1.2版本
    1

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