ACE2301_12 参数 Datasheet PDF下载

型号：	ACE2301_12
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内容描述：	P沟道增强型MOSFET [P-Channel Enhancement Mode MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	5 页 / 267 K
品牌：	ACE [ ACE TECHNOLOGY CO., LTD. ]

ACE2301

P沟道增强型MOSFET

包装类型

SOT-23-3

SOT- 23-3说明

门

来源

漏

订购信息

ACE2301 XX + H

卤素 - 免费

铅 - 免费

BM ： SOT- 23-3

电气特性

参数

漏源击穿电压

漏源导通电阻

栅极阈值电压

零栅极电压漏极电流

门体漏

正向跨导

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

符号

STATIC

DSS

DS （ ON）

DS （上

)

GS （ TH）

DSS

GSS

= 0V时，我

=250uA

= -4.5V ，我

=-2.8A

= -2.5V ，我

=-2.0A

= VGS ，我

=250uA

=-9.6V, V

=0V

=±8V, V

=0V

= -5V ，我

=-2.8A

动态

= -6V ，我

=-2.8A

=-4.5V

5.8

0.85

6.5

-0.4

-20

70.0

85.0

100.0

150.0

-0.9

-1

±100

mΩ

条件

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

1.3版本

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