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    ACE2303B 参数 Datasheet PDF下载

    ACE2303B图片预览
    型号： ACE2303B
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    内容描述： P沟道增强型场效应晶体管 [P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管场效应晶体管
    文件页数/大小： 5 页 / 529 K
    品牌： ACE [ ACE TECHNOLOGY CO., LTD. ]
     浏览型号ACE2303B的Datasheet PDF文件第2页浏览型号ACE2303B的Datasheet PDF文件第3页浏览型号ACE2303B的Datasheet PDF文件第4页浏览型号ACE2303B的Datasheet PDF文件第5页  
    ACE2303B
    P沟道增强型场效应晶体管
    描述
    这种P沟道增强型功率场效应管是采用高细胞密度， DMOS沟
    技术，该技术特别适用于减小导通电阻。这种装置特别适用于
    低电压应用，如便携式设备，电源管理和其它电池供电
    电路和低线的功率损耗，需要在一个非常小的轮廓表面贴装封装。
    特点
    V
    DS
    =-30V
    I
    D
    =-3.6A
    R
    DS （ ON）
    58mΩ @ V
    GS
    =-10V
    R
    DS （ ON）
    87mΩ @ V
    GS
    =-4.5V
    高密度电池设计低R
    DS （ ON）
    绝对最大额定值
    参数
    漏源电压
    栅源电压
    漏电流
    功耗
    连续
    脉冲
    (1)
    25
    O
    C
    符号
    V
    DSS
    V
    GSS
    I
    D
    P
    D
    最大
    -30
    ±20
    -3.6
    -10
    1.4
    单位
    V
    V
    A
    W
    O
    工作和存储温度范围T
    J,
    T
    英镑
    -55到150
    C
    包装类型
    SOT-23-3L
    3
    SOT- 23-3L描述
    1
    2
    3
    1
    2
    门
    来源
    漏
    订购信息
    ACE2303B XX + H
    卤素 - 免费
    铅 - 免费
    BM ： SOT- 23-3L
    1.2版本
    1

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