ACE2305
技术
描述
该ACE2305是晶体管都P沟道逻辑增强型功率场效应
采用高密度, DMOS沟道技术。
这种高密度的工艺特别适合于减小导通电阻。
这些装置特别适用于低电压应用,如蜂窝电话和笔记本
计算机的电源管理和电池供电的电路,以及低线的功率损耗,需要在一个
非常小外形表面贴装封装。
P沟道增强型MOSFET
特点
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
-15V / -3.5A ,R
DS ( ON)
=70mΩ@V
GS
=-4.5V
-15V / -3.0A ,R
DS ( ON)
=85mΩ@V
GS
=-2.5V
-15V / -2.0A ,R
DS ( ON)
=105mΩ@V
GS
=-1.8V
超高密度电池设计极低R
DS ( ON)
呈导通电阻和最大直流电流能力
SOT- 23-3L封装设计
应用
在笔记型电源管理
便携式设备
电池供电系统
DC / DC转换器
负荷开关
DSC
液晶显示器逆变器
绝对最大额定值
( TA = 25℃除非另有说明)
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流(T
J
=150℃)
漏电流脉冲
连续源电流(二极管传导)
功耗
T
A
=25℃
T
A
=70℃
T
A
=25℃
T
A
=70℃
符号典型单位
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
T
英镑
R
θ
JA
-15
±12
-3.5
-2.8
-10
-1.6
1.25
0.8
150
120
V
V
A
A
A
W
℃
℃/W
工作结温
存储温度范围
热阻,结到环境
-55/150
℃
1.2版本
1