ACE2301BM+H 参数 Datasheet PDF下载

型号：	ACE2301BM+H
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内容描述：	P沟道增强型MOSFET [P-Channel Enhancement Mode MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	5 页 / 92 K
品牌：	ACE [ ACE TECHNOLOGY CO., LTD. ]

ACE2301

技术

描述

该ACE2301是生产的P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管

采用高密度， DMOS沟道技术。

这种高密度的工艺特别适合于减小导通电阻。

这些装置特别适用于低电压应用，如蜂窝电话和笔记本

计算机的电源管理和电池供电的电路，以及低线的功率损耗，需要在一个

非常小外形表面贴装封装。

P沟道增强型MOSFET

特点

•

=-20V

DS （ ON）

@-4.5V,I

@-2.8A=100mΩ

DS （ ON）

@-2.5V,I

@-2.0A=150mΩ

先进的加工技术

对于超低导通电阻高密度电池设计

绝对最大额定值

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

漏电流脉冲

最大功率耗散

=25℃

=70℃

符号

英镑

最大

单位

-20

±12

-2.2

-8

1.25

0.8

-55到150

140

C / W

工作结温

存储温度范围

结到环境热阻（PCB安装）

2.1在2盎司铜PCB板。

注： 1.Repetitive评级：脉冲宽度有限的最高结温。

设计3.Guaranteed ;不受生产测试。

1.2版本

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