ACE2302
技术
描述
N沟道增强型MOSFET
该ACE2302是晶体管所产生的N沟道逻辑增强型功率场效应
采用高密度, DMOS沟道技术。
这种高密度的工艺特别适合于减小导通电阻。
这些装置特别适用于低电压应用,如蜂窝电话和笔记本
计算机的电源管理和电池供电的电路,以及低线的功率损耗,需要在一个
非常小外形表面贴装封装。
特点
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20V / 3.6A ,R
DS ( ON)
=80mΩ@V
GS
=4.5V
20V / 3.1A ,R
DS ( ON)
=95mΩ@V
GS
=2.5V
超高密度电池设计极低R
DS ( ON)
呈导通电阻和最大直流电流能力
应用
在笔记型电源管理
便携式设备
电池供电系统
DC / DC转换器
负荷开关
DSC
液晶显示器逆变器
绝对最大额定值
符号最大单位
V
DSS
20
V
V
GSS
±20
V
T
A
=25℃
3.2
连续漏电流(T
J
=150℃)
A
I
D
T
A
=70℃
2.6
漏电流脉冲
I
DM
10
A
连续源电流(二极管传导)
I
S
1.6
A
T
A
=25℃
1.25
功耗
W
P
D
T
A
=70℃
0.8
O
工作结温
T
J
150
C
O
存储温度范围
T
英镑
-55/150 C
热阻,结到环境
R
θJA
100
O
C / W
参数
漏源电压
栅源电压
1.2版本
1