ACE2303BM+ 参数 Datasheet PDF下载

型号：	ACE2303BM+
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内容描述：	P沟道增强型MOSFET [P-Channel Enhancement Mode MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	8 页 / 264 K
品牌：	ACE [ ACE TECHNOLOGY CO., LTD. ]

ACE2303

技术

描述

该ACE2303是晶体管都P沟道逻辑增强型功率场效应

采用高密度， DMOS沟道技术。

这种高密度的工艺特别适合于减小导通电阻。

这些装置特别适用于低电压应用，如蜂窝电话和笔记本

计算机的电源管理和电池供电的电路，以及低线的功率损耗，需要在一个

非常小外形表面贴装封装。

P沟道增强型MOSFET

特点

•

-30V / -2.6A ，R

DS （ ON）

=130mΩ@V

=-10V

-30V / -2.0A ，R

DS （ ON）

=180mΩ@V

=-4.5V

超高密度电池设计极低R

DS （ ON）

呈导通电阻和最大直流电流能力

SOT- 23-3L封装设计

应用

在笔记型电源管理

便携式设备

电池供电系统

DC / DC转换器

负荷开关

DSC

液晶显示器逆变器

绝对最大额定值

= 25℃除非另有说明）

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流（T

=150℃)

漏电流脉冲

连续源电流（二极管传导）

功耗

=25℃

=70℃

=25℃

=70℃

符号典型单位

DSS

GSS

英镑

-30

±20

-3.0

-2.0

-10

-1.25

1.25

0.8

150

100

℃

℃/W

工作结温

存储温度范围

热阻，结到环境

-55/150

℃

1.2版本

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