ACE2304BM+ 参数 Datasheet PDF下载

型号：	ACE2304BM+
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内容描述：	N沟道增强型MOSFET [N-Channel Enhancement Mode MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	7 页 / 253 K
品牌：	ACE [ ACE TECHNOLOGY CO., LTD. ]

ACE2304

技术

描述

该ACE2304是生产的N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管

采用高密度， DMOS沟道技术。

这种高密度的工艺特别适合于减小导通电阻。

这些装置特别适用于低电压应用，如蜂窝电话和笔记本

计算机的电源管理和电池供电的电路，以及低线的功率损耗，需要在一个

非常小外形表面贴装封装。

N沟道增强型MOSFET

特点

•

30V / 3.2A ，R

DS （ ON）

=65mΩ@V

=10V

30V / 2.0A ，R

DS （ ON）

=90mΩ@VGS=4.5V

超高密度电池设计极低R

DS （ ON）

呈导通电阻和最大直流电流能力

应用

在笔记型电源管理

便携式设备

电池供电系统

DC / DC转换器

负荷开关

DSC

液晶显示器逆变器

绝对最大额定值

符号最大单位

DSS

GSS

±20

=25℃

3.2

连续漏电流（T

=150℃)

=70℃

2.6

漏电流脉冲

连续源电流（二极管传导）

1.25

=25℃

1.25

功耗

=70℃

0.8

工作结温

150

存储温度范围

英镑

-55/150 C

热阻，结到环境

θJA

100

C / W

参数

漏源电压

栅源电压

1.2版本

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