ACE3400_12 参数 Datasheet PDF下载

型号：	ACE3400_12
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内容描述：	N沟道增强型MOSFET [N-Channel Enhancement Mode MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	7 页 / 646 K
品牌：	ACE [ ACE TECHNOLOGY CO., LTD. ]

ACE3400

N沟道增强型MOSFET

描述

该ACE3400是晶体管所产生的N沟道逻辑增强型功率场效应

采用高密度， DMOS沟道技术。

这种高密度的工艺特别适合于减小导通电阻。

这些装置特别适用于低电压应用，如蜂窝电话和笔记本

电脑的电源管理和其他电池供电的电路，以及低线的功率损耗，需要

在一个非常小外形表面贴装封装。

特点



30V / 5.4A ，R

DS （ ON）

=38mΩ@V

=10V

30V / 4.6A ，R

DS （ ON）

=42mΩ@V

=4.5V

30V / 3.8A ，R

DS （ ON）

=55mΩ@V

=2.5V

超高密度电池设计极低R

DS （ ON）

呈导通电阻和最大直流电流能力

应用

在笔记型电源管理

便携式设备

电池供电系统

DC / DC转换器

负荷开关

DSC

液晶显示器逆变器

绝对最大额定值

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流（T

=150℃)

漏电流脉冲

连续源电流（二极管传导）

功耗

=25℃

=70℃

=25℃

=70℃

象征最高

DSS

GSS

英镑

±12

4.5

3.5

1.7

2.0

1.3

150

-55/150

单位

工作结温

存储温度范围

热阻，结到环境

C / W

版本1.4

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