ACE3413
技术
描述
该ACE3413是晶体管都P沟道逻辑增强型功率场效应
采用高密度， DMOS沟道技术。
这种高密度的工艺特别适合于减小导通电阻。
这些装置特别适用于低电压应用，如蜂窝电话和笔记本
计算机的电源管理和电池供电的电路，以及低线的功率损耗，需要在一个
非常小外形表面贴装封装。
P沟道增强型MOSFET
特点
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-20V / -3.4A ，R
DS （ ON）
=95mΩ@V
GS
=-4.5V
-20V / -2.4A ，R
DS （ ON）
=120mΩ@V
GS
=-2.5V
-20V / -1.7A ，R
DS （ ON）
=145mΩ@V
GS
=-1.8V
-20V / -1.0A ，R
DS （ ON）
=210mΩ@V
GS
=-1.25V
超高密度电池设计极低R
DS （ ON）
呈导通电阻和最大直流电流能力
SOT- 23-3L封装设计
应用
在笔记型电源管理
便携式设备
电池供电系统
负荷开关
DSC
液晶显示器逆变器
绝对最大额定值
（ TA = 25℃除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
=150℃)
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
功耗
T
A
=25℃
T
A
=70℃
T
A
=25℃
T
A
=70℃
符号典型单位
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
T
英镑
R
θ
JA
-20
±12
-3.5
-2.8
-15
-1.4
1.25
0.8
V
V
A
A
A
W
工作结温
存储温度范围
热阻，结到环境
-55/150
℃
-55/150
℃
150
℃/W
1.2版本
1
ACE [ ACE TECHNOLOGY CO., LTD. ]
