ACE4442B 参数 Datasheet PDF下载

型号：	ACE4442B
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内容描述：	N沟道增强型MOSFET [N-Channel Enhancement Mode MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	6 页 / 946 K
品牌：	ACE [ ACE TECHNOLOGY CO., LTD. ]

ACE4442B

N沟道增强型MOSFET

描述

该ACE4442B结合了先进的沟槽MOSFET技术，具有低电阻包

提供这器件非常适用于电源供应器电路和负载/电源开关手机，

寻呼机。

特点



=20V

=0.7A

DS （ ON）

<360mΩ （V

=4.5V)

DS （ ON）

<420mΩ （V

=2.5V)

DS （ ON）

<560mΩ （V

=1.8V)

ESD保护

绝对最大额定值

参数

漏源电压

栅源电压

漏电流（连续）

=25℃

=70℃

=25℃

=70℃

符号

DSS

GSS

最大

±12

0.7

0.56

0.27

0.16

单位

漏电流（脉冲）

功耗

工作温度/储存温度

英镑

-55~150

℃

包装类型

SOT-523

1.2版本

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