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ACE4446B 参数 Datasheet PDF下载

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型号: ACE4446B
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内容描述: N沟道增强型网络场效晶体管 [N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 6 页 / 938 K
品牌: ACE [ ACE TECHNOLOGY CO., LTD. ]
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ACE4446B
N沟道增强型网络场效晶体管
订购信息
ACE4446B XX + H
卤素 - 免费
铅 - 免费
NN : DFN3 * 3-8L
电气特性
T
A
=25
O
C除非另有说明
参数
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅极漏电流
静态漏源导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
二极管的正向电压
最大体二极管连续
当前
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
符号
V
( BR ) DSS
I
DSS
I
GSS
R
DS ( ON)
V
GS ( TH)
g
FS
V
SD
I
S
开关
Q
g
Q
gs
Q
gd
T
D(上)
t
f
t
D(关闭)
t
f
动态
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
DS
=15V, V
GS
=0V
f=1MHz
2470
325
185
pF
V
DS
=15V, V
GS
=10V
R
=6Ω, R
L
=15Ω
V
DS
= 15V ,我
D
=14A
V
GS
=5V
16
5
3
17
5
50
10
20.8
6.5
3.9
34
10
100
20
ns
nC
条件
STATIC
V
GS
= 0V时,我
D
=250uA
V
DS
=30V, V
GS
=0V
V
GS
=±20V, V
DS
=0V
V
GS
= 10V ,我
D
=15A
V
GS
= 4.5V ,我
D
=10A
V
DS
=V
GS
, I
DS
=250uA
V
DS
= 5V ,我
D
=15A
I
SD
= 2A ,V
GS
=0V
1
5.9
7
1.9
25
0.71
1.0
2
30
1
100
8.5
13
3
V
uA
nA
V
S
V
A
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
注:A, R值
θJA
测定用安装在1in² FR-4板2盎司的设备。铜,在静止空气环境
以T
A
= 25°C 。在任何给定应用程序中的值取决于用户的具体的电路板设计。
B.重复等级,脉冲宽度有限的结温。
C的电流额定值是基于T≤ 10秒结点到环境的热阻评级。
1.2版本
2