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    ACE4710B 参数 Datasheet PDF下载

    ACE4710B图片预览
    型号： ACE4710B
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    内容描述： P沟道增强型MOSFET与肖特基二极管 [P-Channel Enhancement Mode MOSFET with Schottky Diode]
    分类和应用： 肖特基二极管
    文件页数/大小： 6 页 / 601 K
    品牌： ACE [ ACE TECHNOLOGY CO., LTD. ]
     浏览型号ACE4710B的Datasheet PDF文件第2页浏览型号ACE4710B的Datasheet PDF文件第3页浏览型号ACE4710B的Datasheet PDF文件第4页浏览型号ACE4710B的Datasheet PDF文件第5页浏览型号ACE4710B的Datasheet PDF文件第6页  
    ACE4710B
    P沟道增强型MOSFET与肖特基二极管
    描述
    ACE4710B结合其产生具有高细胞的P-沟道增强型功率MOSFET的
    密度DMOS沟道技术和低正向电压的肖特基二极管。该器件特别
    适合低压应用，特别是对于电池供电的电路，微小的和薄轮廓节省了PCB
    消费。
    特点
    MOSFET
    V
    DS
    (V)=-20V
    I
    D
    =-4A
    R
    DS （ ON）
    @ -4.5V ， 58mΩ （典型值）。
    R
    DS （ ON）
    @ -2.5V ， 76mΩ （典型值）。
    R
    DS （ ON）
    @ -1.8V ， 97mΩ （典型值）。
    肖特基
    VR 20V
    IF 2A
    VF@1A<430mV
    应用
    李电池充电
    高端DC / DC转换器
    无刷直流电机的高侧驱动器
    便携式，电池供电设备的电源管理
    绝对最大额定值
    参数
    漏源电压
    栅源电压
    漏电流（连续）
    肖特基反向电压
    肖特基连续正向电流
    功耗降额以上的牛逼
    A
    =25
    O
    C
    （注1 ）
    工作和存储温度范围
    连续
    脉冲
    符号
    V
    DSS
    V
    GSS
    I
    D
    V
    R
    I
    F
    P
    D
    最大
    -20
    ±8
    -4
    -25
    20
    2
    1.5
    单位
    V
    V
    A
    V
    A
    W
    O
    T
    J,
    T
    英镑
    -55到150
    C
    注： 1。设备安装在FR- 4 PCB ， 1英寸× 0.85英寸× 0.062英寸。该等级是包中的每个芯片。
    1.2版本
    1

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