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型号: ACE4953B
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内容描述: 双P沟道增强型场效应晶体管 [Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 6 页 / 974 K
品牌: ACE [ ACE TECHNOLOGY CO., LTD. ]
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ACE4953B
双P沟道增强型场效应晶体管
描述
该ACE4953B采用先进的沟槽技术,提供优良的RDS(ON )和超低低门
费。这个装置是适合于用作负载开关或PWM应用。
特点
V
DS
(V)=-20V
I
D
= -5.5A (V
GS
=-10V)
R
DS ( ON)
<55mΩ (V
GS
=-10V)
R
DS ( ON)
<58mΩ (V
GS
=-4.5V)
R
DS ( ON)
<80mΩ (V
GS
=-2.5V)
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流(连续) * AC
T
A
=25
O
C
T
A
=70
O
C
T
A
=25
O
C
T
A
=70
O
C
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
P
D
最大
-20
±12
-5.5
-4.4
-25
2
1.5
单位
V
V
A
A
W
O
漏电流(脉冲) * B
功耗
工作和存储温度范围T
J,
T
英镑
-55到150
C
包装类型
SOP-8
1.2版本
1