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型号: ACE633
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内容描述: 60V互补增强型场效应晶体管 [60V Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 10 页 / 1130 K
品牌: ACE [ ACE TECHNOLOGY CO., LTD. ]
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ACE633
60V互补增强型场效应晶体管
描述
该ACE633采用先进沟道技术MOSFET,以提供优秀的研发
DS ( ON)
和低门
费。所述互补的MOSFET可以在H桥,换流器和其它应用程序中使用。
特点
N沟道
V
DS
(V)=60V
I
D
=5A
R
DS ( ON)
<35mΩ (V
GS
=10V)
<40mΩ (V
GS
=4.5V)
P沟道
V
DS
(V)=-60V
I
D
=-3.5A
R
DS ( ON)
<75mΩ (V
GS
=-10V)
<90mΩ (V
GS
=-4.5V)
绝对最大额定值
(T
A
= 25℃除非另有说明)
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流(T
J
=150℃) T
A
=25℃
* AC
T
A
=70℃
漏电流(脉冲) * B
功耗
T
A
=25℃
T
A
=70℃
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
P
D
T
J
T
英镑
典型
N沟道P沟道
60
±20
5
4
22
2
1.3
-55到150
-55到150
-60
±20
-3.5
-2.8
-22
2
1.3
单位
V
V
A
A
W
O
O
工作结温
存储温度范围
C
C
1.2版本
1