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型号: ACE634
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内容描述: 20V互补增强型场效应晶体管 [20V Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 9 页 / 1029 K
品牌: ACE [ ACE TECHNOLOGY CO., LTD. ]
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ACE634
20V互补增强型场效应晶体管
描述
该ACE634结合了先进的沟槽MOSFET技术,具有低电阻封装提供
非常低R
DS ( ON)
。该器件非常适用于负荷开关和电池保护的应用程序。
特点
N沟道
V
DS
(V)=20V
I
D
=4A
R
DS ( ON)
<35mΩ (V
GS
=4.5V)
<42mΩ (V
GS
=2.5V)
P沟道
V
DS
(V)=-20V
I
D
=-2.5A
R
DS ( ON)
<85mΩ (V
GS
=-4.5V)
<115mΩ (V
GS
=-2.5V)
绝对最大额定值
(T
A
= 25℃除非另有说明)
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流(T
J
=150℃) T
A
=25℃
* AC
T
A
=70℃
漏电流(脉冲) * B
功耗
T
A
=25℃
T
A
=70℃
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
P
D
T
J
T
英镑
典型
N沟道P沟道
20
±12
4
3.2
13
1.1
0.7
-20
±12
-2.5
-2
-13
1.1
0.7
单位
V
V
A
A
W
O
O
工作结温
存储温度范围
-55到150
-55到150
C
C
1.2版本
1