ACE7400
技术
描述
N沟道增强型MOSFET
该ACE7400是晶体管所产生的N沟道逻辑增强型功率场效应
采用高密度, DMOS沟道技术。
这种高密度的工艺特别适合于减小导通电阻。
这些装置特别适用于低电压应用,如蜂窝电话和笔记本
计算机的电源管理和其他面糊供电的电路,和低线的功率损耗,需要在
一个非常小外形表面贴装封装。
特点
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30V / 2.8A ,R
DS ( ON)
=77mΩ@V
GS
=10V
30V / 2.3A ,R
DS ( ON)
=85mΩ@V
GS
=4.5V
30V / 1.5A ,R
DS ( ON)
=110mΩ@V
GS
=2.5V
超高密度电池设计极低R
DS ( ON)
呈导通电阻和最大直流电流能力
应用
在笔记型电源管理
便携式设备
电池供电系统
DC / DC转换器
负荷开关
DSC
液晶显示器逆变器
绝对最大额定值
符号最大单位
V
DSS
30
V
V
GSS
±12
V
T
A
=25℃
2.8
连续漏电流(T
J
=150℃)
A
I
D
T
A
=70℃
2.1
漏电流脉冲
I
DM
10
A
连续源电流(二极管传导)
I
S
1.25
A
T
A
=25℃
0.33
功耗
W
P
D
T
A
=70℃
0.21
O
工作结温
T
J
150
C
O
存储温度范围
T
英镑
-55/150 C
热阻,结到环境
R
θJA
100
O
C / W
参数
漏源电压
栅源电压
1.2版本
1