ACE7401
技术
描述
P沟道增强型MOSFET
该ACE7401是晶体管都P沟道逻辑增强型功率场效应
采用高密度， DMOS沟道技术。
这种高密度的工艺特别适合于减小导通电阻。
这些装置特别适用于低电压应用，如蜂窝电话和笔记本
计算机的电源管理和其他面糊供电的电路，和低线的功率损耗，需要在
一个非常小外形表面贴装封装。
特点
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-30V / -2.8A ，R
DS （ ON）
=115mΩ@V
GS
=-10V
-30V / -2.5A ，R
DS （ ON）
=125mΩ@V
GS
=-4.5V
-30V / -1.5A ，R
DS （ ON）
=170mΩ@V
GS
=-2.5V
-30V / -1.0A ，R
DS （ ON）
=240mΩ@V
GS
=-1.8V
超高密度电池设计极低R
DS （ ON）
呈导通电阻和最大直流电流能力
应用
在笔记型电源管理
便携式设备
电池供电系统
DC / DC转换器
负荷开关
DSC
液晶显示器逆变器
绝对最大额定值
符号最大单位
V
DSS
-30
V
V
GSS
±12
V
T
A
=25℃
-2.8
连续漏电流（T
J
=150℃)
A
I
D
T
A
=70℃
-2.1
漏电流脉冲
I
DM
-8
A
连续源电流（二极管传导）
I
S
-1.4
A
T
A
=25℃
0.33
功耗
W
P
D
T
A
=70℃
0.21
工作结温
T
J
-55/150
O
C
存储温度范围
T
英镑
-55/150
O
C
热阻，结到环境
R
θJA
105
O
C / W
参数
漏源电压
栅源电压
1.2版本
1
ACE [ ACE TECHNOLOGY CO., LTD. ]
