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    ACE8202B 参数 Datasheet PDF下载

    ACE8202B图片预览
    型号： ACE8202B
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 双N沟道增强型场效应晶体管， ESD保护 [Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with ESD Protection]
    分类和应用： 晶体晶体管场效应晶体管
    文件页数/大小： 7 页 / 651 K
    品牌： ACE [ ACE TECHNOLOGY CO., LTD. ]
     浏览型号ACE8202B的Datasheet PDF文件第2页浏览型号ACE8202B的Datasheet PDF文件第3页浏览型号ACE8202B的Datasheet PDF文件第4页浏览型号ACE8202B的Datasheet PDF文件第5页浏览型号ACE8202B的Datasheet PDF文件第6页浏览型号ACE8202B的Datasheet PDF文件第7页  
    ACE8202B
    双N沟道增强型场效应晶体管， ESD保护
    描述
    该ACE8202B采用先进的沟槽技术，提供优秀的研发
    DS （ ON）
    和低栅极电荷。
    他们提供的操作在一个很宽的栅极驱动范围从2.5V到12V 。这是ESD保护。该装置是
    适合用作一个单向或双向负荷开关，通过它的共漏极便利
    配置。
    特点
    V
    DS
    (V)=20V
    I
    D
    = 7.5A （V
    GS
    =4.5V)
    R
    DS （ ON）
    <21毫欧（V
    GS
    =4.5V)
    R
    DS （ ON）
    <35毫欧（V
    GS
    =2.5V)
    ESD保护： 2000V
    绝对最大额定值
    参数
    漏源电压
    栅源电压
    连续漏电流*交流
    漏电流脉冲
    功耗
    T
    A
    =25℃
    T
    A
    =70℃
    T
    A
    =25℃
    T
    A
    =70℃
    符号最大单位
    V
    DSS
    V
    GSS
    I
    D
    I
    DM
    P
    D
    20
    ±12
    7.5
    6
    25
    2.5
    1.6
    V
    V
    A
    A
    W
    O
    工作结温/储存温度范围T
    J
    /T
    英镑
    -55/150
    C
    包装类型
    DFN3*3-8L
    1.2版本
    1

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