ACE93C46.56.66
三线制串行EEPROM
指令集的ACE93C56 / 66
指令SB
读
EWEN
rease
写
1
1
1
1
OP
CODE
10
00
11
01
地址
*8
A
8
-A
0
11XXXXXX
A
8
-A
0
A
8
-A
0
*16
A
7
-A
0
11XXXXXX
A
7
-A
0
A
7
-A
0
D
7
-D
0
D
15
-D
0
*8
数据
*16
评论
读出存储在存储器中的数据，
在指定的地址
写使能必须在前面所有
编程模式
擦除存储器位置
An-A0
写入内存位置
An-A0
删除所有存储位置。
只适用于VCC = 4.5V至
5.5V
将所有内存位置。
只适用于VCC = 4.5V至
5.5V
禁用所有的编程
说明
ERAL
1
00
10XXXXXXX 10XXXXXX
WRAL
1
00
01XXXXXXX 01XXXXXX ð
7
-D
0
D
15
-D
0
00XXXXXXX 00XXXXXX
EWDS
1
00
注： X的地址字段中的表示不关心的值，并且必须提供时钟。
读（READ ） ：
读（读出）的指令包含要读取的存储器单元中的地址码。该指令后
地址被解码时，从所选择的存储单元的数据可在串行输出引脚DO 。输出数据
变化与串行时钟SK的上升沿同步。但是应当注意的是，一个虚拟位（逻辑“0”）
之前的8位或16位的数据输出字符串。该ACE93C56 / 66支持顺序读操作。该设备将
自动递增内部地址指针和时钟输出的下一个内存位置，只要片选（ CS ）
保持高电位。在这种情况下，哑位（逻辑“0” ），将不会被同步输出的存储单元之间，从而允许一个
要读取的数据的连续的蒸汽。
擦/写（ EWEN ） ：
为了保证数据的完整性，器件自动进入擦除/写禁止（ EWDS ）状态时，功率为先
应用。擦除/写使能（ EWEN ）指令必须先执行之前的任何编程指令可
执行。请注意，在EWEN状态一次，编程保持启用状态，直到EWDS指令
执行或VCC电源从部分除去。
擦除（ ERASE ） ：
擦除（ ERASE ）指令的程序在指定的存储单元中的逻辑“1”状态的所有位。该
自定时擦除周期开始一次ERASE指令和地址进行解码。 DO引脚输出
的一部分，如果CS的Ready / Busy状态拉高正在保持低了至少250纳秒（ TCS ）之后。在引脚上的逻辑“1”
DO表示选定存储器位置已被擦除，并且该部件准备执行下一条指令。
版本1.5
7
ACE [ ACE TECHNOLOGY CO., LTD. ]
