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    ACE9435B 参数 Datasheet PDF下载

    ACE9435B图片预览
    型号： ACE9435B
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    内容描述： P沟道增强型场效应晶体管 [P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管场效应晶体管
    文件页数/大小： 5 页 / 521 K
    品牌： ACE [ ACE TECHNOLOGY CO., LTD. ]
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    ACE9435B
    P沟道增强型场效应晶体管
    描述
    这种P沟道增强型功率场效应管是采用高细胞密度， DMOS沟
    技术，该技术特别适用于减小导通电阻。这种装置特别适用于
    低电压应用，如便携式设备，电源管理和其它电池供电
    电路和低线的功率损耗，需要在一个非常小的轮廓表面贴装封装。
    特点
    V
    DS
    （V ） = - 320V ，我
    D
    =-5.24.1A
    R
    DS （ ON）
    = 51mΩ @ V
    GS
    =-10V
    R
    DS （ ON）
    = 68mΩ @ V
    GS
    =-4.5V
    高密度电池设计低R
    DS （ ON）
    绝对最大额定值
    参数
    漏源电压
    栅源电压
    漏电流
    （注1 ）
    符号
    V
    DSS
    V
    GSS
    （注2 ）
    最大
    -30
    ±20
    -5.2
    -50
    1.5
    单位
    V
    V
    A
    W
    O
    连续T
    A
    =25
    O
    C
    脉冲
    I
    D
    P
    D
    总功耗
    （注1 ）
    工作和存储温度范围
    T
    J,
    T
    英镑
    -55到150
    C
    包装类型
    SOP-8
    8
    7
    6
    5
    1
    2
    3
    4
    1.2版本
    1

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