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    ACE9926B 参数 Datasheet PDF下载

    ACE9926B图片预览
    型号： ACE9926B
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 双N沟道增强型场效应晶体管 [Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管场效应晶体管
    文件页数/大小： 7 页 / 735 K
    品牌： ACE [ ACE TECHNOLOGY CO., LTD. ]
     浏览型号ACE9926B的Datasheet PDF文件第2页浏览型号ACE9926B的Datasheet PDF文件第3页浏览型号ACE9926B的Datasheet PDF文件第4页浏览型号ACE9926B的Datasheet PDF文件第5页浏览型号ACE9926B的Datasheet PDF文件第6页浏览型号ACE9926B的Datasheet PDF文件第7页  
    ACE9926B
    双N沟道增强型场效应晶体管
    描述
    该ACE9926B采用先进的沟槽技术，提供优秀的研发
    DS （ ON）
    和低栅极电荷。
    他们提供的操作在一个很宽的栅极驱动范围从2.5V到12V 。这两个设备可以使用
    个别地，并行地或以形成双向阻断开关。
    特点
    V
    DS
    (V)=20V
    I
    D
    = 6A （V
    GS
    =4.5V)
    R
    DS （ ON）
    <30mΩ （V
    GS
    =4.5V)
    R
    DS （ ON）
    <40mΩ （V
    GS
    =2.5V)
    绝对最大额定值
    参数
    漏源电压
    栅源电压
    漏电流（连续） * AC
    T
    A
    =25
    O
    C
    T
    A
    =70
    O
    C
    T
    A
    =25
    O
    C
    T
    A
    =70
    O
    C
    符号
    V
    DSS
    V
    GSS
    I
    D
    I
    DM
    P
    D
    最大
    20
    ±12
    6
    5
    24
    2
    1.3
    单位
    V
    V
    A
    A
    W
    O
    漏电流（脉冲） * B
    功耗
    工作和存储温度范围T
    J,
    T
    英镑
    -55到150
    C
    包装类型
    SOP-8
    1.2版本
    1

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