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A32200 参数 Datasheet PDF下载

A32200图片预览
型号: A32200
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内容描述: 100%的自动布局布线高度可预测的性能 [Highly Predictable Performance with 100% Automatic Placement and Routing]
分类和应用: 布线
文件页数/大小: 98 页 / 2009 K
品牌: ACTEL [ Actel Corporation ]
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可以与频率和电压来表示被组合
有源功率耗散。
Ë quiv人耳鼻喉科Ç APAC它ANCE
其中:
m
n
p
q
1
q
2
=逻辑模块的开关次数在f
m
=输入数量的缓冲区在f开关
n
=输出缓冲器的数量的开关,在f
p
=路由时钟负载数在第一
阵列时钟(所有的家庭)
=布在所述第二时钟负载数
阵列时钟( ACT 2 , 1200XL , 3200DX , ACT 3
只)
=固定电容,由于第一个路由阵列
时钟(所有的家庭)
=固定电容,由于第二路由阵列
时钟( ACT 2 , 1200XL , 3200DX ,只有ACT 3 )
=时钟负载的专用固定号码
阵列时钟(仅ACT 3 )
=时钟负载的专用固定号码
I / O时钟(仅ACT 3 )
=逻辑模块pF的等效电容
=输入缓冲器的pF的等效电容
=输出缓冲器的等效电容
单位为pF
=路由阵列时钟的等效电容
单位为pF
=专用阵列的等效电容
在pF的时钟
=的专用I等效电容/ O时钟
单位为pF
在PF =输出引线电容
=平均逻辑模块以MHz开关频率
=以MHz为单位的平均输入缓冲器开关速度
=平均输出缓冲器开关以MHz速率
=平均第一路由阵列时钟频率以MHz为单位
(全科)
=平均第二路由阵列时钟速率
兆赫( ACT 2 , 1200XL , 3200DX ,只有ACT 3 )
=平均阵列专用的时钟速率以MHz为单位
( ACT 3只)
=平均专用I / O时钟速率以MHz为单位
( ACT 3只)
通过CMOS电路消耗的功率可以表示为
方程1:
功率( UW) = C
EQ
* V
CC2
* F
其中:
C
EQ
V
CC
F
=在pF的等效电容
=电源以伏特(V)的
=开关频率以MHz为单位
(1)
r
1
r
2
s
1
s
2
C
EQM
C
EQI
C
EQO
C
EQCR
C
EQCD
等效电容是通过测量计算出我
CC
活跃
以指定的频率和电压的每个电路
感兴趣的部分。测量是在一定范围的
频率为V的固定值的
CC
。等效电容
是频率无关的,使得结果可用于在
一个宽范围的操作条件。等效电容
值如下所示。
CE Q瓦尔的UE F或埃尔法FP摹A S
1200XL
ACT 3 3200DX ACT 2 ACT 1
模块(C
EQM
)
输入缓冲器(C
EQI
)
输出缓冲器(C
EQO
)
路由阵列时钟
缓冲负载(C
EQCR
)
专用的时钟缓冲器
负载(C
EQCD
)
I / O时钟缓冲器载荷
(C
EQCI
)
6.7
7.2
10.4
1.6
0.7
0.9
5.2
11.6
23.8
3.5
不适用
不适用
5.8
12.9
23.8
3.9
不适用
不适用
3.7
22.1
31.2
4.6
C
EQCI
不适用
C
L
不适用
f
m
f
n
f
p
f
q1
f
q2
f
s1
f
s2
为了计算有功功率从完全消散
设计,该逻辑必须的各部分的开关频率
是已知的。等式2示出了分段线性求和
在适用于所有ACT 1中的所有组件, 1200XL ,
3200DX , ACT 2 ,和ACT 3设备。由于ACT 1家有
只有一个路由阵列时钟,标示routed_Clk2条款,
dedicated_Clk和IO_Clk不适用。类似地,对ACT 2
家有两个路由阵列时钟和dedicated_Clk
和IO_Clk条款不适用。对于ACT 3的设备,所有的条款
将适用。
功率= V
CC2
* [ (M * C
EQM
* f
m
)
模块
+ (N * C
EQI
* f
n
)
输入
+
( P * (C
EQO
+ C
L
) * f
p
)
输出
+ 0.5 * (q
1
* C
EQCR
* f
q1
)
routed_Clk1
+ (r
1
* f
q1
)
routed_Clk1
+ 0.5 * (q
2
* C
EQCR
* f
q2
)
routed_Clk2
+
(r
2
* f
q2
)
routed_Clk2
+ 0.5 * (s
1
* C
EQCD
* f
s1
)
dedicated_CLK
+
(s
2
* C
EQCI
* f
s2
)
io_clk
]
(2)
12