提前V0.1
耐辐射的ProASIC3低功耗与空间
飞行闪存的FPGA
与Flash * Freeze技术
特点和优点
MIL -STD- 883 B类合格包装
•六西格玛铜质瓷柱栅阵列
包裹铅锡列
•焊盘网格阵列
•高性能，低偏移的全球网络
•架构支持超高使用率
®
先进和Pro （专业版）的I / O
• 700 Mbps的DDR ， LVDS ，有能力的I / O
• 1.2 V， 1.5 V， 1.8 V ， 2.5 V和3.3 V混合电压
手术
•银行可选的I / O电压，达到每芯片的8家银行
•单端I / O标准： LVTTL ， LVCMOS 3.3 V /
2.5 V / 1.8 V / 1.5 V / 1.2 V， 3.3 V PCI / 3.3 V PCI -X和
LVCMOS 2.5 V / 5.0 V输入
•差分I / O标准： LVPECL ， LVDS ，B - LVDS ，以及M- LVDS
•电压参考I / O标准： GTL + 2.5 V / 3.3 V ， GTL
2.5 V / 3.3 V ， HSTL I类和II ， SSTL2 I类和II ， SSTL3
I类和II （ RT3PE3000L只）
•I / O寄存器的输入，输出和启用路径
•热插拔和冷备用的I / O
•可编程输出摆率和驱动强度
•可编程输入延迟（ RT3PE3000L只）
在单端输入•施密特触发器选项
(RT3PE3000L)
•弱上拉/断电
• IEEE 1149.1 （ JTAG ）边界扫描测试
•引脚兼容的跨耐辐射包装
的ProASIC
®
3家庭
低功耗
•显着降低动态和静态功耗
• 1.2 V至1.5 V核心和低I / O电压支持
动力
•在Flash的低功耗* Freeze模式启用
瞬时入口/出口从低功耗
Flash * Freeze模式
•支持单电压系统操作
•低阻抗开关
耐辐射
• 15拉德总剂量（ TID ）
•晶圆地段特定的TID报告
大容量
• 600 K至3米的系统门
•高达504千比特的真双端口SRAM
•最多620用户I / O
编程的Flash技术
• 130纳米， 7层金属（ 6铜） ，基于闪存的CMOS
过程
•活在电即行（ LAPU ） 0级支持
•单芯片解决方案
•保留编程设计，当电源关闭
时钟调整电路（ CCC）和PLL
•六CCC块，全部集成锁相环（ RT的ProASIC3 ）
•可配置的相移，乘法/除法，延迟
能力和外部反馈
•宽输入频率范围1.5兆赫至250兆赫（ 1.2 V
系统）和350兆赫（ 1.5 V系统）
高性能
• 350兆赫（ 1.5 V）和250兆赫（ 1.2 V）系统性能
• 3.3 V ， 66 MHz的66位PCI （ 1.5 V） ; 66兆赫， 32位PCI （ 1.2 V）
静态存储器和FIFO
•可变纵横4608位的RAM块（ ×1，× 2，× 4 ，
× 9 ×和18个组织提供）
•真正的双端口SRAM （除× 18 ）
• 24 SRAM和FIFO模块与同步操作：
- 250 MHz时： 1.2 V系统
- 350 MHz时： 1.5 V系统
RT3PE3000L
3M
75,264
504
112
1k
是的
6
18
8
620
CG / LG484 ， CG / LG896
在系统编程（ ISP）和安全性
•安全ISP使用片上128位高级加密
通过JTAG标准（AES ）解密（ IEEE 1532标准）
•的FlashLock
®
以安全的FPGA内容
高性能路由层次
•分段，分层路由和时钟结构
RT ProASIC3器件
系统门
VersaTiles （ D型触发器）
RAM千位（ 1,024位）
4,608位块
FlashROM的位
安全（ AES ） ISP
集成PLL的核心承诺
VersaNet全局
I / O组
最大用户I / O
封装引脚
CCGA / LGA
RT3PE600L
600 k
13,824
108
24
1k
是的
6
18
8
270
CG/LG484
表I- 1 •
耐辐射（ RT ）的ProASIC3低功耗太空飞行的FPGA
2008年9月
©2008 Actel公司
I
ACTEL [ Actel Corporation ]
