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ACT753SMX-2
该
ACT753SMX-2
有2垫，高品质，低老化SMD晶体在陶瓷基/
金属盖封装，缝焊好的长期可靠性。盖是通过接地
包协助EMI问题和垫镀金。这是很宽的频率
范围和频率公差/稳定性选择使该器件非常适用于多种应用
包括笔记本电脑， PCMCIA ，仪器仪表，微处理器系统&通讯
设备。
规范
参数
频带
频率容差
在温度范围内的稳定性
温度工作范围
存储温度范围
等效串联电阻
负载电容
旁路电容
驱动电平
绝缘电阻
老化
频率。范围
（兆赫）
8.0 ~ 10.0
10.1 ~ 15.9
16.0 ~ 45.0
32.0 ~ 120.0
80
60
40
80
基本
基本
基本
第三泛音
符号
fo
ΔF / FO
Tc
TOPR
TSTG
ESR
CL
C0
DL
IR
Fa
ESR（ Ω ）最大
规范
8.00 〜 120MHz的
± 10ppm的〜 50PPM
± 10ppm的〜 30ppm的
-20 〜 + 70 ° C到-40〜 + 85°C
-40 ~+85°C
见下表
6 〜 30pF的， 18pF之STD 。
7pF
100μW最大
500MΩ敏
时±5ppm /年最大
模式
条件
@25°C
请具体说明
请具体说明
@ 100V DC
@25°C
5.0 ± 0.2
7.0 ± 0.2
尺寸（mm）
1.3
拟议的足迹
1.2
4.6
1.2
2.2
4.1
2.2
3.54 ± 0.13
2.54 ± 0.13
4.5
请注意，所有参数不一定能在相同的设备指定
客户可以指定：频率，频率公差，温度稳定，工作温度&负载电容
在我们持续的产品演变和改进的政策，上述规格可能有所变动，恕不另行通知
ISO9001 ： 2000注册
对于报价或进一步信息，请联系我们：
3商务中心，莫莉Millars里，沃金厄姆，伯克希尔， RG41 2EY ，英国
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问题： 4 D2
日期： 17/08/04
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ACT [ ADVANCED CRYSTAL TECHNOLOGY ]
