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ACT9200
该ACT9200系列是一种小型，薄型SMD封装，陶瓷底座利用
缝焊金属盖，用于高可靠性和更好的长期稳定性。金属盖被接地
通过封装来协助EMI减排。这7x5毫米的设备可作为
该ACT9200两个3V3和5V0 。 1V8和2V5版本可作为ACT9200L （见
ACT9200L数据表） 。一个32.768kHz的版本可以作为9200WC （见9200WC数据
表） 。录音和缠绕包装（ 1K卷轴）和松量可供购买，以
适合高，低批量的生产。
规范
参数
电源电压
频带
频率稳定度
温度工作范围
存储温度范围
SYMB 。
VDD
fo
ΔF / FO
TOPR
TSTG
规范
3.3V
DC
± 10%
1.000 〜 200.00 MHz的
± 15ppm的〜 ± 100ppm的
0 〜 + 70 ° Cstandard为-40〜 + 85°C
-55到+ 125°C
5.0V
DC
±10%
1.000 〜 106.25 MHz的
条件
请具体说明
请具体说明
请具体说明
请具体说明
16毫安（ 1.000 〜 34.999兆赫）
电源电流（最大值）
IOP
25毫安（ 35.000 〜 60.00兆赫）
40毫安（ 60.001 〜 99.999兆赫）
50毫安（ 100.00 〜 155.00兆赫）
60毫安（ 155.01 〜 200.00兆赫）
占空比
输出电平“0”
输出电平“1”
上涨&下降时间（最大值）
输出负载
启动时间
三态输入电压
老龄化
周期抖动（绝对）
周期抖动（ 1西格玛）
Fa
Tj
Tj
TW / T
VOL
VOH
tRTF
N / CL
TOSC
无连接
VIH ：
≥90%
V的
DD
VIL ：
≤10%
V的
DD
±5ppm
25毫安（ 1.0000 〜 34.999兆赫）
40毫安（ 35.00 〜 60.00兆赫）
60毫安（ 60.001 〜 99.999兆赫）
80毫安（ 100.00 〜 106.25兆赫）
请具体说明
六十零分之四十〇 ％ （STD）提供& 55分之45 ％
0.4V
DC
最大值（ TTL）的
2.4V
DC
分（ TTL）的
10ns的（ 1.000 〜 34.999兆赫）
为5ns （ 35.00 〜 99.999兆赫）
为2.5ns （ 100.00 〜 200.00兆赫）
10ms以下
使能输出
使能输出
禁止输出：高阻抗
± 3ppm的选项
10% V
DD
MAX（ HCMOS ）
90% V
DD
分（ HCMOS ）
10ns的（ 1.00 〜 49.999兆赫）
为5ns （ 50.00MHz 〜 99.90兆赫）
为3ns （ 100.00 〜 106.25兆赫）
10TTL / 15pF的（ 30pF的提供）
第一年最高25°C
其他频率 - 见下文附注2
其他频率 - 见下文附注2
100ps的最大@ 1.0MHz的
25PS最大@ 1.0MHz的
垫表面材料
Au
应用
- 微处理器的时钟
- PDA /笔记本
- 无线应用
- 音频
- 千兆以太网
- 光纤通道
- 仪器仪表
注1 ：
为了减少高频电源噪声，外部旁路
建议0.01μF靠近接地，VDD电容器。
注2 ：
在ps的典型（最大）抖动值：
RMS （ 1西格玛）
绝对（峰 - 峰值）
25MHz的：
6.3 (10)
17.8 (28)
33MHz的：
5.2 (10)
14.7 (28)
60MHz的：
3.7 (5.0)
10.5 (14.0)
100MHz
1.0 (3.0)
2.8 (8.4)
请注意，所有参数不一定能在相同的设备指定
客户指定：频率，频率稳定，工作温度范围，输出类型，输出使能，电压，占空比
在我们持续的产品演变和改进的政策，以上规格如有变更，恕不另行通知
ISO9001 ： 2000注册
对于报价或进一步信息，请联系我们：
3商务中心，莫莉Millars里，沃金厄姆，伯克斯， RG41 2EY ，英国
http://www.actcrystals.com
1第3
问题： 8瑞典克朗
日期： 05年2月11日
ACT [ ADVANCED CRYSTAL TECHNOLOGY ]
