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5-2.Electronic特点
参考温度：
T
A
= 25
°C
Z
S
= 50
Ω
终止源阻抗：
终端负载阻抗：
Z
L
= 50
Ω
群延迟孔径：
0.25MHz
特征
中心频率
插入损耗
480.00兆赫
（对于下面的数据基准电平）
通带宽
相对衰减
466.50兆赫
493.50兆赫
430.00 ... .455.50兆赫
504.50 ... 530.00兆赫
α
REL
≤3dB
f
C
α
B
3dB
α
REL
--
--
40.0
38.0
40.0
Δα
--
--
Δ
τ
TC
f
--
--
3.0
3.2
46.0
43.0
46.0
0.6
227.5
8.5
-86
4.6
4.6
--
--
--
1.0
--
15
--
dB
dB
dB
dB
dB
dB
ns
ns
PPM / K
分钟。
479.00
--
25.6
典型
480.00
22.5
26.6
马克斯。
481.00
24
27.6
单位
兆赫
dB
兆赫
低旁瓣
上旁瓣
反射波信号抑制
0.15μs ......在2.0μs后，主脉
幅度波动（对 - p）的
群时延
群时延纹波（ P-P ）
473.50 ？ 486.50兆赫
480.00兆赫
467.00 ... 493.00兆赫
τ
频率的温度系数
i
注意：静电敏感器件。遵守的注意事项来处理！
1.
2.
频率f
C
被定义为3dB的频率之间的中点。
除非另有说明，所有测量均与安装在指定的测试固定装置是这样的过滤器
连接到50Ω的测试系统与VSWR≤1.2 ： 1 。测试夹具L和C被调整为最小的插入
在该滤波器的中心频率f损失
C
。注意，插入损耗，带宽和通带的形状取决于
阻抗匹配元件值和质量。
除非另有说明，规范适用于在整个规定的工作温度范围。
该设备的规格是根据测试电路如上图所示，并随时更改或
过时恕不另行通知。
使用本产品的所有设备的设计必须由相应的政府机构之前获得批准
制造或销售。
我们只有承担责任的表面声波（ SAW）的组分本身，而不是应用程序，
流程和组件或组件内实现的电路。
3.
4.
5.
6.
按照我们目前的产品演变和改进的政策，上述规格若有变更，恕不另行通知。
ISO9001 ： 2000注册 - 注册号6830/2
对于报价或进一步信息，请联系我们：
3商务中心，莫莉Millars里，沃金厄姆，伯克斯， RG41 2EY ，英国
问题： 1 C1
日期： 9月4日
ACT [ ADVANCED CRYSTAL TECHNOLOGY ]
