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APL1001J 参数 Datasheet PDF下载

APL1001J图片预览
型号: APL1001J
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内容描述: N沟道增强型高压功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管脉冲高压局域网高电压电源
文件页数/大小: 4 页 / 75 K
品牌: ADPOW [ ADVANCED POWER TECHNOLOGY ]
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动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
d
(上)
t
r
t
d
(关闭)
t
f
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1 MHz的
V
GS
= 15V
V
DD
= 0.5 V
DSS
I
D
= I
D
[续] @ 25°C
R
G
= 0.6
典型值
最大
APL1001J
单位
6000
775
285
14
14
60
14
7200
1080
430
28
28
92
20
ns
pF
安全工作区特性
符号
SOA1
特征
安全工作区
测试条件/型号
V
DS
= 400 V,I
DS
= 0.813A ,T = 20秒,T
C
= 60°C
典型值
最大
单位
325
1
重复评价:脉冲宽度有限的最高结温。见瞬态热阻抗曲线。 (图1)
2
脉冲测试:脉冲宽度< 380 μS ,占空比< 2 %
3
见MIL -STD -750方法3471
0.3
Z
JC
,热阻抗( ℃/ W)
θ
D=0.5
0.1
0.05
0.2
0.1
0.05
0.01
0.005
0.02
0.01
单脉冲
0.001
10
-5
10
-4
注意:
PDM
t1
t2
t
占空比D = 1 / T2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
10
-3
10
-2
10
-1
1.0
矩形脉冲持续时间(秒)
图1 ,最大有效瞬态热阻抗,结点到外壳VS脉冲持续时间
10
40
VGS = 6.5V , 7.0V , 8.0V ,
10V 15V &
I
D
,漏极电流(安培)
40
VGS = 15V , 10V , 8V , 7V & 6.5V
I
D
,漏极电流(安培)
30
6.0 V
30
6.0 V
5.5 V
20
5.0 V
10
4.5 V
5.5 V
20
5.0 V
10
4.5 V
050-5904 C版本3-2002
0
20
40
60
80
100
V
DS
,漏极至源极电压(伏)
图2 ,典型输出特性
0
0
4
8
12
16
20
V
DS
,漏极至源极电压(伏)
图3 ,典型输出特性
0