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APT10025JVFR 参数 Datasheet PDF下载

APT10025JVFR图片预览
型号: APT10025JVFR
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内容描述: 功率MOS V是新一代高压N沟道增强型功率MOSFET 。 [Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.]
分类和应用: 高压
文件页数/大小: 4 页 / 77 K
品牌: ADPOW [ ADVANCED POWER TECHNOLOGY ]
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APT10025JVFR
200
100
I
D
,漏极电流(安培)
50
操作点这里
限制根据RDS ( ON)
60,000
10µS
100µS
C,电容(pF )
西塞
10,000
5,000
科斯
10
5
1mS
10mS
1
.5
TC = + 25°C
TJ = + 150°C
单脉冲
100mS
DC
1,000
CRSS
500
.1
1
5 10
50 100
500 1000
V
DS
,漏极至源极电压(伏)
图10 ,最大安全工作区
I = I [续]
D
D
.01
.1
1
10
50
V
DS
,漏极至源极电压(伏)
图11 ,典型电容VS漏极至源极电压
I
DR
,反向漏电流(安培)
100
50
TJ = + 150°C
TJ = + 25°C
V
GS
,栅极至源极电压(伏)
20
16
VDS=100V
12
VDS=200V
10
5
8
VDS=500V
4
250
500
750 1000 1250 1500
Q
g
,总栅极电荷( NC)
图12 ,栅极电荷VS栅极至源极电压
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
V
SD
,源极到漏极电压(伏)
图13 ,典型的源极 - 漏极二极管的正向电压
1
SOT- 227 ( ISOTOP
®
)包装外形
31.5 (1.240)
31.7 (1.248)
7.8 (.307)
8.2 (.322)
W=4.1 (.161)
W=4.3 (.169)
H=4.8 (.187)
H=4.9 (.193)
(4处)
11.8 (.463)
12.2 (.480)
8.9 (.350)
9.6 (.378)
六角螺母M4
(4处)
r = 4.0 (.157)
( 2处)
4.0 (.157)
4.2 (.165)
( 2处)
25.2 (0.992)
0.75 (.030) 12.6 (.496) 25.4 (1.000)
0.85 (.033) 12.8 (.504)
3.3 (.129)
3.6 (.143)
14.9 (.587)
15.1 (.594)
30.1 (1.185)
30.3 (1.193)
38.0 (1.496)
38.2 (1.504)
1.95 (.077)
2.14 (.084)
*资料来源
*资料来源端子短路
在内部。目前的处理
能力是相等的任一
源极端子。
*资料来源
050-5601修订版A
尺寸以毫米(英寸)
ISOTOP
®
SGS是汤姆逊公司的注册商标。
APT的设备涵盖了以下一个USpatents的一个或多个: 4895810
5,256,583
5,045,903
4,748,103
5,089,434
5,283,202
5,182,234
5,231,474
5,019,522
5,434,095
"UL Recognized"文件号E145592
5,262,336
5,528,058