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    APT10035LLL 参数 Datasheet PDF下载

    APT10035LLL图片预览
    型号： APT10035LLL
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 功率MOS 7TM是新一代低损耗，高电压，N沟道增强型功率MOSFET 。 [Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS.]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
    文件页数/大小： 5 页 / 94 K
    品牌： ADPOW [ ADVANCED POWER TECHNOLOGY ]
     浏览型号APT10035LLL的Datasheet PDF文件第1页浏览型号APT10035LLL的Datasheet PDF文件第2页浏览型号APT10035LLL的Datasheet PDF文件第4页浏览型号APT10035LLL的Datasheet PDF文件第5页  
    典型性能曲线
    遥控模型
    60
    VGS = 15,10 & 8V
    I
    D
    ，漏极电流（安培）
    APT10035B2LL - LLL
    连接点
    温度。 （ “C ）
    0.0271
    0.00899F
    50
    7V
    40
    6.5V
    动力
    （瓦特）
    0.0656
    0.0202F
    30
    6V
    20
    5.5V
    5V
    0.0859
    外壳温度
    0.293F
    10
    0
    图2 ，瞬态热阻抗模型
    80
    I
    D
    ，漏极电流（安培）
    R
    DS
    （ON ） ，漏极至源极导通电阻
    VDS>的ID （ON ）× R DS（ ON）的最大值。
    250μSEC 。脉冲测试
    @ <0.5 ％占空比
    0
    5
    10
    15
    20
    25
    30
    V
    DS
    ，漏极至源极电压（伏）
    图3 ，低电压输出特性
    1.40
    归一
    V
    = 10V @ 14A
    GS
    70
    60
    50
    40
    30
    20
    10
    0
    1.30
    1.20
    VGS=10V
    1.10
    TJ = + 125°C
    TJ = -55°C
    TJ = + 25°C
    0
    2
    4
    6
    8
    10
    V
    GS
    ，栅极至源极电压（伏）
    图4 ，传热特性
    1.00
    VGS=20V
    0.90
    0.80
    0
    10
    20
    30
    40
    50
    60
    I
    D
    ，漏极电流（安培）
    图5中，R
    DS
    （ ON）与漏电流
    30
    BV
    DSS
    ，漏极 - 源极击穿
    电压（归）
    I
    V
    D
    1.15
    I
    D
    ，漏极电流（安培）
    25
    1.10
    20
    15
    1.05
    1.00
    10
    0.95
    0.90
    0.85
    -50
    5
    0
    25
    R
    DS
    （ON ） ，漏极至源极导通电阻
    （归一化）
    50
    75
    100
    125
    150
    T
    C
    ，外壳温度（ ° C）
    图6 ，最大漏极电流与外壳温度
    2.5
    = 14A
    = 10V
    -25
    0
    25 50 75 100 125 150
    T
    J
    ，结温（ ° C）
    图7 ，击穿电压与温度
    1.2
    V
    GS
    （ TH ） ，阈值电压
    （归一化）
    GS
    2.0
    1.1
    1.0
    0.9
    0.8
    3-2003
    050-7010版本C
    1.5
    1.0
    0.5
    0.7
    0.6
    -50
    0.0
    -50
    -25
    0
    25 50
    75 100 125 150
    T
    J
    ，结温（ ° C）
    图8 ，导通电阻与温度
    -25
    0
    25 50 75 100 125 150
    T
    C
    ，外壳温度（ ° C）
    图9 ，阈值电压与温度

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