欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

APT10050JLC 参数 Datasheet PDF下载

APT10050JLC图片预览
型号: APT10050JLC
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 功率MOS VITM是新一代的低栅电荷,高电压N沟道增强模式功率MOSFET。 [Power MOS VITM is a new generation of low gate charge, high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
文件页数/大小: 2 页 / 43 K
品牌: ADPOW [ ADVANCED POWER TECHNOLOGY ]
 浏览型号APT10050JLC的Datasheet PDF文件第1页  
动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
3
APT10050JLC
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1 MHz的
V
GS
= 10V
典型值
最大
单位
5000
600
190
170
30
95
18
13
43
nC
pF
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极( "Miller" )充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源极 - 漏极二极管额定值和特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
特性/测试条件
连续源电流(体二极管)
脉冲源电流
1
二极管的正向电压
L
A
IC
N
H
为C n
TE IO
ð AT
E
C
M
N
R
A
O
V
ð INF
A
V
DD
= 0.5 V
DSS
I
D
= I
D [续]
@ 25°C
V
GS
= 15V
V
DD
= 0.5 V
DSS
R
G
= 0.6Ω
I
D
= I
D [续]
@ 25°C
ns
8.5
典型值
最大
单位
安培
ns
µC
19
76
(体二极管)
2
(V
GS
= 0V时,我
S
= -I
D [续]
)
1.3
反向恢复时间(I
S
= -I
D [续]
, DL
S
/ DT = 100A / μs)内
反向恢复电荷(我
S
= -I
D [续]
, DL
S
/ DT = 100A / μs)内
960
22.0
热特性
符号
R
θJC
R
θJA
特征
结到外壳
结到环境
典型值
最大
单位
° C / W
0.28
40
1
重复评价:脉冲宽度有限的最高结
温度。
2
脉冲测试:脉冲宽度< 380 μS ,占空比< 2 %
3
见MIL -STD -750方法3471
4
启动T = + 25 ° C,L = 13.85mH , R = 25
Ω,
峰值I = 19A
j
G
L
APT保留更改的权利,恕不另行通知,该说明和信息,包含在本文中。
SOT- 227 ( ISOTOP
®
)包装外形
31.5 (1.240)
31.7 (1.248)
7.8 (.307)
8.2 (.322)
W=4.1 (.161)
W=4.3 (.169)
H=4.8 (.187)
H=4.9 (.193)
(4处)
11.8 (.463)
12.2 (.480)
8.9 (.350)
9.6 (.378)
六角螺母M4
(4处)
r = 4.0 (.157)
( 2处)
4.0 (.157)
4.2 (.165)
( 2处)
25.2 (0.992)
0.75 (.030) 12.6 (.496) 25.4 (1.000)
0.85 (.033) 12.8 (.504)
3.3 (.129)
3.6 (.143)
1.95 (.077)
2.14 (.084)
050-5941冯 - 12-99
14.9 (.587)
15.1 (.594)
30.1 (1.185)
30.3 (1.193)
38.0 (1.496)
38.2 (1.504)
*发射器
集热器
*资料来源端子短路
在内部。目前的处理
能力是相等的任一
源极端子。
*发射器
尺寸以毫米(英寸)
APT的设备涵盖了以下一个USpatents的一个或多个:
4,895,810
5,256,583
5,045,903
4,748,103
5,089,434
5,283,202
5,182,234
5,231,474
5,019,522
5,434,095
5,262,336
5,528,058