欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

APT10086BVR 参数 Datasheet PDF下载

APT10086BVR图片预览
型号: APT10086BVR
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 功率MOS V是新一代高压N沟道增强型功率MOSFET 。 [Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.]
分类和应用: 晶体晶体管开关脉冲高压局域网
文件页数/大小: 4 页 / 70 K
品牌: ADPOW [ ADVANCED POWER TECHNOLOGY ]
 浏览型号APT10086BVR的Datasheet PDF文件第1页浏览型号APT10086BVR的Datasheet PDF文件第2页浏览型号APT10086BVR的Datasheet PDF文件第4页  
APT10086BVR
25
I
D
,漏极电流(安培)
VGS = 5.5V , 6V , 7V , 10V 15V &
I
D
,漏极电流(安培)
25
VGS=15V
20
VGS = 7V & 10V
15
VGS = 5.5V & 6V
5V
20
5V
15
10
4.5V
5
4V
0
100
200
300
400
500
V
DS
,漏极至源极电压(伏)
图2 ,典型输出特性
30
0
10
4.5V
5
4V
0
4
8
12
16
20
V
DS
,漏极至源极电压(伏)
图3 ,典型输出特性
0
R
DS
(ON ) ,漏极至源极导通电阻
1.3
V
GS
I
D
,漏极电流(安培)
24
VDS>的ID (ON )× R DS( ON)的最大值。
250μSEC 。脉冲测试
@ <0.5 %占空比
归一
= 10V @ 0.5 I [续]
D
1.2
18
1.1
VGS=10V
VGS=20V
1.0
12
TJ = + 125°C
TJ = + 25°C
0
TJ = -55°C
6
0
2
4
6
8
V
GS
,栅极至源极电压(伏)
图4 ,一般传输特性
14
I
D
,漏极电流(安培)
12
10
8
6
4
2
0
0.9
0
5
10
15
20
25
I
D
,漏极电流(安培)
图5中,R
DS
( ON)与漏电流
BV
DSS
,漏极 - 源极击穿
电压(归)
25
I = 0.5 I [续]
D
D
GS
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
50
75
100
125
150
T
C
,外壳温度( ° C)
图6 ,最大漏极电流与外壳温度
R
DS
(ON ) ,漏极至源极导通电阻
(归一化)
2.5
V
GS
( TH ) ,阈值电压
(归一化)
V
= 10V
-25
0
25 50 75 100 125 150
T
J
,结温( ° C)
图7 ,击穿电压与温度
1.2
0.90
-50
2.0
1.1
1.0
1.5
0.9
0.8
0.7
050-5562修订版B
1.0
0.5
0.0
-50
-25
0
25 50
75 100 125 150
T
J
,结温( ° C)
图8 ,导通电阻与温度
-25
0
25 50 75 100 125 150
T
C
,外壳温度( ° C)
图9 ,阈值电压与温度
0.6
-50