APT11N80BC3
800V 11A 0.45
Ω
超级结MOSFET
ç OLMOS
O
功率半导体
TO-247
•超低低R
DS
(
ON
)
•低米勒电容
•超低栅极电荷，Q
g
•额定雪崩能量
• TO- 247封装
最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
V
GSM
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
dv
/
dt
D
G
S
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT11N80BC3
单位
伏
安培
参数
漏源电压
连续漏电流@ T
C
= 25°C
漏电流脉冲
1
800
11
33
±20
±30
156
1.25
-55到150
260
50
11
0.2
4
门源电压连续
栅源电压瞬态
总功率耗散@ T
C
= 25°C
线性降额因子
工作和存储结温范围
焊接温度： 0.063"案件从10秒。
漏源电压斜率（V
DS
= 640V ，我
D
= 11A ，T
J
= 125°C)
重复性雪崩电流
重复性雪崩能量
7
7
伏
瓦
W / ℃，
°C
V / ns的
安培
mJ
I
AR
E
AR
E
AS
单脉冲雪崩能量
470
静态电气特性
符号
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
特性/测试条件
漏源击穿电压（V
GS
= 0V时，我
D
= 250µA)
漏源导通电阻
2
民
典型值
最大
单位
伏
800
0.39
0.5
0.45
20
200
±100
2.1
3
3.9
(V
GS
= 10V ，我
D
= 7.1A)
欧
µA
nA
伏
零栅极电压漏极电流（V
DS
= V
DSS
, V
GS
= 0V)
零栅极电压漏极电流（V
DS
= V
DSS
, V
GS
= 0V ，T
J
= 150°C)
门源漏电流（V
GS
= ±20V, V
DS
= 0V)
栅极阈值电压（V
DS
= V
GS
, I
D
= 680µA)
注意事项：
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
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4-2004
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