APT12060B2VFR
APT12060LVFR
功率MOS V
®
功率MOS V
®
是新一代高电压N沟道增强
模式的功率MOSFET 。这种新技术的最小的JFET效应，
增加填充密度，并降低了导通电阻。功率MOS V
®
还实现了门，通过优化布局更快的开关速度。
T- MAX ™
1200V 20A 0.600
Ω
TO-264
•更快的开关
•低漏
•额定雪崩能量
FREDFET
D
G
S
•热门
T- MAX ™
或TO- 264
包
最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
V
GSM
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
I
AR
E
AR
E
AS
参数
漏源电压
连续漏电流@ T
C
= 25°C
漏电流脉冲
1
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT12060B2VFR_LVFR
单位
伏
安培
1200
20
80
±30
±40
625
5.00
-55到150
300
20
50
4
门源电压连续
栅源电压瞬态
总功率耗散@ T
C
= 25°C
线性降额因子
工作和存储结温范围
焊接温度： 0.063"案件从10秒。
雪崩电流
1
伏
瓦
W / ℃，
°C
安培
mJ
（重复，不重复）
1
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
3000
静态电气特性
符号
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
特性/测试条件
漏源击穿电压（V
GS
= 0V时，我
D
= 250µA)
漏源导通电阻
2
民
典型值
最大
单位
伏
1200
0.600
250
1000
(V
GS
= 10V ，我
D
= 10A)
欧
µA
nA
伏
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 1200, V
GS
= 0V)
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 960V, V
GS
= 0V ，T
C
= 125°C)
门源漏电流（V
GS
= ±30V, V
DS
= 0V)
栅极阈值电压（V
DS
= V
GS
, I
D
= 1毫安）
2
4
注意事项：
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
APT网站 - http://www.advancedpower.com
050-5845修订版A
4-2004
±100
ADPOW [ ADVANCED POWER TECHNOLOGY ]
