APT12080LVR 参数 Datasheet PDF下载

型号：	APT12080LVR
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内容描述：	功率MOS V是新一代高压N沟道增强型功率MOSFET 。 [Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.]
分类和应用：	晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲高压局域网
文件页数/大小：	4 页 / 65 K
品牌：	ADPOW [ ADVANCED POWER TECHNOLOGY ]

APT12080LVR

100

，漏极电流（安培）

操作点这里

限制根据RDS （ ON）

30,000

10µS

100µS

C，电容（pF ）

10,000

5,000

西塞

1mS

10mS

TC = + 25°C

TJ = + 150°C

单脉冲

100mS

1,000

500

科斯

CRSS

5 10

50 100

500 1200

，漏极至源极电压（伏）

图10 ，最大安全工作区

I = I [续]

.01

，漏极至源极电压（伏）

图11 ，典型电容VS漏极至源极电压

，反向漏电流（安培）

100

TJ = + 150°C

TJ = + 25°C

100

，栅极至源极电压（伏）

VDS=120V

VDS=240V

VDS=600V

100

200

300

400

500

600

，总栅极电荷（ NC）

图12 ，栅极电荷VS栅极至源极电压

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

，源极到漏极电压（伏）

图13 ，典型的源极 - 漏极二极管的正向电压

TO- 264封装外形

4.60 (.181)

5.21 (.205)

1.80 (.071)

2.01 (.079)

19.51 (.768)

20.50 (.807)

3.10 (.122)

3.48 (.137)

5.79 (.228)

6.20 (.244)

漏

25.48 (1.003)

26.49 (1.043)

2.29 (.090)

2.69 (.106)

19.81 (.780)

21.39 (.842)

2.29 (.090)

2.69 (.106)

门

漏

来源

0.48 (.019)

0.84 (.033)

2.59 (.102)

3.00 (.118)

0.76 (.030)

1.30 (.051)

2.79 (.110)

3.18 (.125)

5.45 （ 0.215 ） BSC

2-Plcs.

050-5567修订版B

尺寸以毫米（英寸）

APT的设备涵盖了以下一个USpatents的一个或多个： 4895810

5,256,583

5,045,903

4,748,103

5,089,434

5,283,202

5,182,234

5,231,474

5,019,522

5,434,095

5,262,336

5,528,058

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