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APT20GN60BDQ1G 参数 Datasheet PDF下载

APT20GN60BDQ1G图片预览
型号: APT20GN60BDQ1G
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内容描述: IGBT [IGBT]
分类和应用: 晶体晶体管功率控制双极性晶体管局域网
文件页数/大小: 9 页 / 434 K
品牌: ADPOW [ ADVANCED POWER TECHNOLOGY ]
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典型性能曲线
®
APT20GN60BDQ1
APT20GN60BDQ1G*
APT20GN60BDQ1(G)
600V
* G表示符合RoHS标准的无铅终端完成。
利用最新的场站和沟槽栅技术,这些IGBT的具有超
低V
CE (ON)的
并适用于需要绝对最低低频应用
导通损耗。易于并联的参数分布非常紧凑和结果
稍微积极V
CE (ON)的
温度COEF网络cient 。低栅极电荷简化网络连接的ES栅极驱动
设计和最小化损失。
G
C
E
TO
-2
47
600V场截止
沟槽栅:低V
CE (ON)的
简单的并联
6微秒短路功能
175 °C测量
C
G
E
应用范围:焊接,感应加热,太阳能逆变器,开关电源,马达驱动器, UPS
最大额定值
符号
V
CES
V
GE
I
C1
I
C2
I
CM
SSOA
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
参数
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
连续集电极电流@ T
C
= 25°C
连续集电极电流@ T
C
= 110°C
集电极电流脉冲
1
所有评分:T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT20GN60BDQ1(G)
单位
600
±30
40
24
60
60A @ 600V
136
-55至175
300
安培
@ T
C
= 175°C
开关安全工作区@ T
J
= 175°C
总功耗
工作和存储结温范围
马克斯。铅温度。用于焊接: 0.063"案件从10秒。
°C
静态电气特性
符号
V
( BR ) CES
V
GE (日)
V
CE (ON)的
特性/测试条件
集电极 - 发射极击穿电压(V
GE
= 0V时,我
C
= 2毫安)
栅极阈值电压
(V
CE
= V
GE
, I
C
= 290μA ,T
j
= 25°C)
典型值
最大
单位
600
5.0
1.1
5.8
1.5
1.7
50
2
6.5
1.9
集电极 - 发射极上的电压(V
GE
= 15V ,我
C
= 20A ,T
j
= 25°C)
集电极 - 发射极上的电压(V
GE
= 15V ,我
C
= 20A ,T
j
= 125°C)
集电极截止电流(V
CE
= 600V, V
GE
= 0V ,T
j
= 25°C)
2
I
CES
I
GES
R
G( INT )
集电极截止电流(V
CE
= 600V, V
GE
= 0V ,T
j
= 125°C)
栅极 - 射极漏电流(V
GE
= ±20V)
综合型栅极电阻
µA
nA
7-2005
050-7615
REV A
待定
300
不适用
注意事项:
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
APT网站 - http://www.advancedpower.com