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APT20M22B2VFR 参数 Datasheet PDF下载

APT20M22B2VFR图片预览
型号: APT20M22B2VFR
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内容描述: 功率MOS V是新一代高压N沟道增强型功率MOSFET 。 [Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲高压
文件页数/大小: 4 页 / 68 K
品牌: ADPOW [ ADVANCED POWER TECHNOLOGY ]
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动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d
(上)
t
r
t
d
(关闭)
t
f
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
3
APT20M22B2VFR
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1 MHz的
V
GS
= 10V
V
DD
= 0.5 V
DSS
I
D
= I
D
[续] @ 25°C
V
GS
= 15V
V
DD
= 0.5 V
DSS
I
D
= I
D
[续] @ 25°C
R
G
= 0.6Ω
典型值
最大
单位
pF
8500
1950
560
290
66
120
16
25
48
5
10200
2730
840
435
100
180
32
50
72
10
ns
nC
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极( "Miller" )充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源极 - 漏极二极管额定值和特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
dv
/
dt
特性/测试条件
连续源电流(体二极管)
脉冲源电流
二极管的正向电压
1
2
典型值
最大
单位
安培
V / ns的
ns
µC
安培
100
400
1.5
5
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
(体二极管)
(V
GS
= 0V时,我
S
= -I
D
[续] )
6
峰值二极管恢复
dv
/
dt
t
rr
Q
rr
I
RRM
反向恢复时间
(I
S
= -I
D
[续]
di
/
dt
= 100A / μs)内
反向恢复电荷
(I
S
= -I
D
[续]
di
/
dt
= 100A / μs)内
峰值恢复电流
(I
S
= -I
D
[续]
di
/
dt
= 100A / μs)内
220
420
0.8
3.0
10
18
热特性
符号
R
θJC
R
θJA
特征
结到外壳
结到环境
典型值
最大
单位
° C / W
0.24
40
1
重复评价:脉冲宽度有限的最高结
温度。
2
脉冲测试:脉冲宽度< 380
µS,
占空比< 2 %
3
见MIL -STD -750方法3471
4
启动T = + 25 ° C,L = 500μH , R = 25Ω ,峰值I = 100A
j
G
L
5
这些尺寸是相等的TO- 247无安装孔
6
I
-I [续]
di
/
= 100A / μs的,V
S
D
DD
V
DSS
, T
j
150℃ ,R
G
= 2.0Ω,
dt
V
R
= 200V.
APT保留更改的权利,恕不另行通知,该说明和信息,包含在本文中。
0.3
Z
JC
,热阻抗( ℃/ W)
θ
D=0.5
0.1
0.05
0.2
0.1
0.05
0.02
0.005
0.01
单脉冲
PDM
0.01
注意:
t1
t2
t
占空比D = 1 / T2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
050-5625修订版A
0.001
10
-5
10
-3
10
-2
10
-1
1.0
10
矩形脉冲持续时间(秒)
图1 ,最大有效瞬态热阻抗,结点到外壳VS脉冲持续时间
10
-4