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APT25GP90BDQ1 参数 Datasheet PDF下载

APT25GP90BDQ1图片预览
型号: APT25GP90BDQ1
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内容描述: 功率MOS 7 IGBT [POWER MOS 7 IGBT]
分类和应用: 晶体晶体管功率控制瞄准线双极性晶体管局域网
文件页数/大小: 9 页 / 444 K
品牌: ADPOW [ ADVANCED POWER TECHNOLOGY ]
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典型性能曲线
100
V
GE
= 15V
100
APT25GP90BDQ1(G)
I
C
,集电极电流( A)
I
C
,集电极电流( A)
80
80
T
J
= -55°C
60
T
J
= -55°C
60
T
J
= 25°C
40
T
J
= 25°C
40
T
J
= 125°C
20
T
J
= 125°C
20
0
120
I
C
,集电极电流( A)
100
图1中,输出特性(T
J
= 25°C)
V
GE
,门极 - 发射极电压(V )
250μs的脉冲
TEST<0.5 %占空比
周期
0
1
2
3
4
5
6
V
CE
,集气器 - 发射极电压( V)
0
16
14
12
10
图2中,输出特性(T
J
= 125°C)
I = 25A
C
中T = 25℃
J
0
1
2
3
4
5
6
V
CE
,集气器 - 发射极电压( V)
V
CE
= 180V
V
CE
= 450V
80
60
8
6
4
2
0
0
20
40
60
80
100
栅极电荷( NC)
120
V
CE
= 720V
T
J
= -55°C
40
20
0
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
0
2
4
6
8
10
V
GE
,门极 - 发射极电压(V )
图3 ,传输特性
图4中,栅极电荷
V
CE
,集电极 - 发射极电压(V )
4
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
25
V
GE
= 15V.
250μs的脉冲测试
<0.5 %占空比
V
CE
,集电极 - 发射极电压(V )
6
I
C
= 25A
5
4
3
2
1
0
T
J
= 25°C.
250μs的脉冲测试
<0.5 %占空比
I
C
= 50A
I
C
= 25A
I
C
= 50A
I
C
= 12.5A
I
C
= 12.5A
8
10
12
14
16
V
GE
,门极 - 发射极电压(V )
图5 ,通态电压VS门极 - 发射极电压
1.10
6
50
75
100
125
T
J
,结温( ° C)
图6 ,通态电压VS结温
100
BV
CES
,集电极 - 发射极击穿
电压(归)
I
C,
DC集电极电流( A)
1.05
80
60
1.00
40
11-2005
050-7476
REV A
0.95
20
-25
0
25
50
75
100 125
T
J
,结温( ° C)
图7 ,击穿电压与结温
0.90
-50
-25
0
25 50 75 100 125 150
T
C
,外壳温度( ° C)
图8 , DC集电极电流与外壳温度
0
-50