典型性能曲线
APT26GU30B
APT26GU30B
300V
功率MOS 7 IGBT
®
功率MOS 7 IGBT是新一代高压功率IGBT的。
使用穿通科技这IGBT适用于多种频率高，
高电压开关应用，并已被优化用于高频率
开关模式电源。
®
TO-247
G
•低传导损耗
•低栅极电荷
•超快尾电流关断
最大额定值
符号
V
CES
V
GE
V
创业板
I
C1
I
C2
I
CM
SSOA
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
参数
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
栅极 - 射极电压瞬态
•额定SSOA
C
E
C
G
E
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT26GU30B
单位
300
±20
±30
47
26
85
85A @ 300V
187
-55到150
300
瓦
°C
安培
伏
连续集电极电流@ T
C
= 25°C
连续集电极电流@ T
C
= 100°C
集电极电流脉冲
1
@ T
C
= 150°C
开关安全工作区@ T
J
= 150°C
总功耗
工作和存储结温范围
马克斯。铅温度。用于焊接： 0.063"案件从10秒。
静态电气特性
符号
BV
CES
V
GE （日）
V
CE （ON）的
特性/测试条件
集电极 - 发射极击穿电压（V
GE
= 0V时，我
C
= 250µA)
栅极阈值电压
(V
CE
= V
GE
, I
C
= 1毫安，T
j
= 25°C)
民
典型值
最大
单位
300
3
4.5
1.5
1.5
250
µA
nA
4-2004
050-7459
版本B
6
2.0
集电极 - 发射极上的电压（V
GE
= 15V ，我
C
= 13A ，T
j
= 25°C)
集电极 - 发射极上的电压（V
GE
= 15V ，我
C
= 13A ，T
j
= 125°C)
集电极截止电流（V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V ，T
j
= 25°C)
2
2
伏
I
CES
I
GES
集电极截止电流（V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V ，T
j
= 125°C)
栅极 - 射极漏电流（V
GE
= ±20V)
2500
±100
注意事项：
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
APT网站 - http://www.advancedpower.com
ADPOW [ ADVANCED POWER TECHNOLOGY ]
