APT30M30LFLL 参数 Datasheet PDF下载

型号：	APT30M30LFLL
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内容描述：	功率MOS 7 FREDFET [POWER MOS 7 FREDFET]
分类和应用：	晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
文件页数/大小：	5 页 / 153 K
品牌：	ADPOW [ ADVANCED POWER TECHNOLOGY ]

APT30M30B2FLL

APT30M30LFLL

300V 100A 0.030

Ω

功率MOS 7

FREDFET

B2FLL

功率MOS 7是新一代低损耗，高电压， N沟道的

增强型功率MOSFET 。这两种传导和开关

亏损显著降低R的处理与功率MOS 7

DS （ ON）

和Q

。功率MOS 7结合了更低的传导损耗和开关损耗

伴随着异常快速开关速度固有APT的

专利的金属栅极结构。

•较低的输入电容

•降低米勒电容

•更低的栅极电荷QG

最大额定值

符号

DSS

GSM

英镑

参数

漏源电压

连续漏电流

漏电流脉冲

T- MAX ™

TO-264

LFLL

•更高的功耗

•容易驾驶

•热门

T- MAX ™

或TO- 264封装

•

快速恢复体二极管

所有评分：T已

= 25 ° C除非另有规定ED 。

APT30M30B2FLL_LFLL

单位

伏

安培

300

@ T

= 25°C

100

400

±30

±40

694

5.56

-55到150

300

100

3000

门源电压连续

栅源电压瞬态

总功率耗散@ T

= 25°C

线性降额因子

工作和存储结温范围

焊接温度： 0.063"案件从10秒。

雪崩电流

伏

瓦

W / ℃，

°C

安培

（重复，不重复）

重复性雪崩能量

单脉冲雪崩能量

静态电气特性

符号

DSS

DS （ ON）

DSS

GSS

GS （ TH）

特性/测试条件

漏源击穿电压（V

= 0V时，我

= 250µA)

漏源导通电阻

民

典型值

最大

单位

伏

300

0.030

250

1000

±100

= 10V ，我

= 50A)

欧

µA

伏

7-2004

050-7162修订版B

零栅极电压漏极电流（V

= 300V, V

= 0V)

零栅极电压漏极电流（V

= 240V, V

= 0V ，T

= 125°C)

门源漏电流（V

= ±30V, V

= 0V)

栅极阈值电压（V

= V

, I

= 2.5毫安）

注意事项：

这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。

APT网站 - http://www.advancedpower.com

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