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APT30M36LFLL 参数 Datasheet PDF下载

APT30M36LFLL图片预览
型号: APT30M36LFLL
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内容描述: 功率MOS 7 FREDFET [POWER MOS 7 FREDFET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
文件页数/大小: 5 页 / 170 K
品牌: ADPOW [ ADVANCED POWER TECHNOLOGY ]
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典型性能曲线
连接点
TEMP 。 ( ° C)
遥控模型
200
APT30M36B2FLL_LFLL
VGS=15V
10V
9V
I
D
,漏极电流(安培)
160
0.0145
0.00193F
120
8V
7.5V
7V
动力
(瓦特)
0.0871
0.0167F
80
0.120
外壳温度。 ( ° C)
0.197F
40
6.5V
6V
0
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
,漏极至源极电压(伏)
图3 ,低电压输出特性
1.4
V
GS
R
DS
(ON ) ,漏极至源极导通电阻
图2 ,瞬态热阻抗模型
250
VDS>的ID (ON )× R DS( ON)的最大值。
250μSEC 。脉冲测试
@ <0.5 %占空比
归一
= 10V @ I = 42A
D
I
D
,漏极电流(安培)
200
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
VGS=20V
VGS=10V
150
100
50
TJ = + 25°C
TJ = + 125°C
TJ = -55°C
0
0
2
4
6
8
10
V
GS
,栅极至源极电压(伏)
图4 ,传热特性
90
80
I
D
,漏极电流(安培)
0
1.20
BV
DSS
,漏极 - 源极击穿
电压(归)
20
40
60
80 100 120 140 160
I
D
,漏极电流(安培)
图5中,R
DS
( ON)与漏电流
70
60
50
40
30
20
10
0
25
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
R
DS
(ON ) ,漏极至源极导通电阻
(归一化)
50
75
100
125
150
T
C
,外壳温度( ° C)
图6 ,最大漏极电流与外壳温度
2.5
I
V
D
-25
0
25
50 75 100 125 150
T
J
,结温( ° C)
图7 ,击穿电压与温度
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0
25
50
75 100 125 150
T
C
,外壳温度( ° C)
图9 ,阈值电压与温度
-50
-25
-50
= 42A
= 10V
GS
1.5
1.0
V
GS
( TH ) ,阈值电压
(归一化)
2.0
0.5
0.0
-50
-25
0
25 50
75 100 125 150
T
J
,结温( ° C)
图8 ,导通电阻与温度
050-7161修订版B
7-2004