欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

APT30M36LLL 参数 Datasheet PDF下载

APT30M36LLL图片预览
型号: APT30M36LLL
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 功率MOS 7TM是新一代低损耗,高电压,N沟道增强型功率MOSFET 。 [Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS.]
分类和应用: 晶体晶体管开关脉冲局域网
文件页数/大小: 2 页 / 73 K
品牌: ADPOW [ ADVANCED POWER TECHNOLOGY ]
 浏览型号APT30M36LLL的Datasheet PDF文件第2页  
APT30M36B2LL
APT30M36LLL
300V 84A 0.036
W
B2LL
功率MOS 7
TM
功率MOS 7
TM
是新一代低损耗,高电压, N沟道的
增强型功率MOSFET 。这两种传导和开关
损失与功率MOS 7解决
TM
通过显著降低ř
DS ( ON)
和Q
g
。功率MOS 7
TM
结合了低导通损耗和开关损耗
伴随着异常快速开关速度固有APT的
专利的金属栅极结构。
•较低的输入电容
•降低米勒电容
•更低的栅极电荷QG
最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
V
GSM
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
I
AR
E
AR
E
AS
参数
漏源电压
T- MAX ™
TO-264
LLL
•更高的功耗
•容易驾驶
•热门
T- MAX ™
或TO- 264封装
D
G
S
所有评分:T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT30M36
单位
安培
连续漏电流@ T
C
= 25°C
漏电流脉冲
1
门源电压连续
栅源电压瞬态
总功率耗散@ T
C
= 25°C
线性降额因子
工作和存储结温范围
焊接温度: 0.063"案件从10秒。
雪崩电流
1
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
L
A
IC
N
H
C
ê ION
T T
E A
C M
n个R
VA FO
值D N
A
I
300
84
336
±30
±40
568
4.55
300
84
50
(重复,不重复)
1
4
W / ℃,
°C
安培
mJ
-55到150
2500
静态电气特性
符号
BV
DSS
I
D(上)
R
DS ( ON)
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
特性/测试条件
漏源击穿电压(V
GS
= 0V时,我
D
= 250µA)
在国家漏极电流
2
典型值
最大
单位
安培
300
84
0.036
100
500
3
5
±100
(V
DS
& GT ;我
D(上)
个R
DS ( ON)
马克斯,V
GS
= 10V)
2
漏源导通电阻
(V
GS
= 10V , 0.5升
D [续]
)
µA
nA
050-7151冯 - 11-2001
零栅极电压漏极电流(V
DS
= V
DSS
, V
GS
= 0V)
零栅极电压漏极电流(V
DS
= 0.8 V
DSS
, V
GS
= 0V ,T
C
= 125°C)
门源漏电流(V
GS
= ±30V, V
DS
= 0V)
栅极阈值电压(V
DS
= V
GS
, I
D
= 2.5毫安)
注意事项:
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
APT网站 - http://www.advancedpower.com
美国
欧洲
405 S.W.哥伦比亚街
舍曼MAGRET
德,俄勒冈州97702-1035
F- 33700梅里捏克 - 法国
电话: ( 541 ) 382-8028
电话: ( 33 ) 5 57 92 15 15
传真: ( 541 ) 388-0364
FAX : ( 33 ) 10 56 47 97 61