典型性能曲线
®
APT30GP60BDQ1
APT30GP60BDQ1G*
APT30GP60BDQ1(G)
600V
* G表示符合RoHS标准的无铅终端完成。
功率MOS 7 IGBT
®
TO
-2
47
功率MOS 7
®
IGBT是新一代高压功率IGBT的。使用打孔
通过这种技术IGBT适用于多种高频率，高电压开关
应用程序和已优化高频开关模式电源。
•低传导损耗
•低栅极电荷
•超快尾电流关断
• 100 kHz的工作频率@ 400V ， 37A
• 200 kHz的工作频率@ 400V ， 24A
•额定SSOA
G
C
E
C
G
E
最大额定值
符号
V
CES
V
GE
I
C1
I
C2
I
CM
SSOA
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
参数
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
连续集电极电流@ T
C
= 25°C
连续集电极电流@ T
C
= 110°C
集电极电流脉冲
1
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT30GP60BDQ1(G)
单位
伏
600
±20
100
49
120
120A @ 600V
463
-55到150
300
安培
@ T
C
= 150°C
开关安全工作区@ T
J
= 150°C
总功耗
工作和存储结温范围
马克斯。铅温度。用于焊接： 0.063"案件从10秒。
瓦
°C
静态电气特性
符号
V
（ BR ） CES
V
GE （日）
V
CE （ON）的
特性/测试条件
集电极 - 发射极击穿电压（V
GE
= 0V时，我
C
= 500µA)
栅极阈值电压
(V
CE
= V
GE
, I
C
= 1毫安，T
j
= 25°C)
民
典型值
最大
单位
600
3
4.5
2.2
2.1
500
2
6
2.7
集电极 - 发射极上的电压（V
GE
= 15V ，我
C
= 30A ，T
j
= 25°C)
集电极 - 发射极上的电压（V
GE
= 15V ，我
C
= 30A ，T
j
= 125°C)
集电极截止电流（V
CE
= 600V, V
GE
= 0V ，T
j
= 25°C)
2
伏
I
CES
I
GES
栅极 - 射极漏电流（V
GE
= ±20V)
±100
nA
注意事项：
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
050-7451
APT网站 - http://www.advancedpower.com
REV A
5-2005
集电极截止电流（V
CE
= 600V, V
GE
= 0V ，T
j
= 125°C)
µA
3000
ADPOW [ ADVANCED POWER TECHNOLOGY ]
