APT35GP120J
1200V
功率MOS 7 IGBT
G
功率MOS 7 IGBT是新一代高压功率IGBT的。
使用穿通科技这IGBT适用于多种频率高,
高电压开关应用,并已被优化用于高频率
开关模式电源。
®
®
E
C
E
SO
ISOTOP
®
2
-2
T
7
"UL Recognized"
•低传导损耗
•低栅极电荷
•超快尾电流关断
• 50 kHz的工作频率@ 800V , 14A
• 20 kHz的工作频率@ 800V , 25A
• RBSOA评级
G
E
C
最大额定值
符号
V
CES
V
GE
V
创业板
I
C1
I
C2
I
CM
RBSOA
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
参数
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
栅极 - 射极电压瞬态
连续集电极电流@ T
C
= 25°C
连续集电极电流@ T
C
= 110°C
集电极电流脉冲
1
所有评分:T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT35GP120J
单位
1200
±20
±30
64
29
140
140A @ 960V
284
-55到150
300
瓦
°C
安培
伏
@ T
C
= 25°C
反向偏置安全工作区@ T
J
= 150°C
总功耗
工作和存储结温范围
马克斯。铅温度。用于焊接: 0.063"案件从10秒。
静态电气特性
符号
BV
CES
V
GE (日)
V
CE (ON)的
特性/测试条件
集电极 - 发射极击穿电压(V
GE
= 0V时,我
C
= 250µA)
栅极阈值电压
(V
CE
= V
GE
, I
C
= 1毫安,T
j
= 25°C)
民
典型值
最大
单位
1200
3
4.5
3.3
3
250
2
6
3.9
伏
集电极 - 发射极上的电压(V
GE
= 15V ,我
C
= 35A ,T
j
= 25°C)
集电极 - 发射极上的电压(V
GE
= 15V ,我
C
= 35A ,T
j
= 125°C)
集电极截止电流(V
CE
= 1200V, V
GE
= 0V ,T
j
= 25°C)
2
I
CES
I
GES
µA
nA
6-2003
050-7409
修订版D
集电极截止电流(V
CE
= 1200V, V
GE
= 0V ,T
j
= 125°C)
栅极 - 射极漏电流(V
GE
= ±20V)
2500
±100
注意事项:
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
APT网站 - http://www.advancedpower.com