APT4018BN 参数 Datasheet PDF下载

型号：	APT4018BN
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内容描述：	N沟道增强型高压功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS]
分类和应用：	高压高电压电源
文件页数/大小：	4 页 / 56 K
品牌：	ADPOW [ ADVANCED POWER TECHNOLOGY ]

TO-247

APT4016BN 400V

31.0A 0.16

Ω

29.0A 0.18

Ω

功率MOS IV

最大额定值

符号

DSS

英镑

参数

漏源电压

APT4018BN 400V

N - 沟道增强型高压功率MOSFET

所有评分：T已

= 25 ° C除非另有规定ED 。

APT

4016BN

APT

4018BN

单位

伏

安培

400

124

±30

360

2.9

400

116

连续漏电流@ T

= 25°C

漏电流脉冲

栅源电压

总功率耗散@ T

= 25°C

线性降额因子

工作和存储结温范围

焊接温度： 0.063"案件从10秒。

伏

瓦

W / ℃，

°C

-55到150

300

静态电气特性

符号

DSS

特性/测试条件/型号

漏源击穿电压

= 0V时，我

= 250

µA)

在国家漏极电流

民

APT4016BN

APT4018BN

APT4016BN

APT4018BN

APT4016BN

APT4018BN

典型值

最大

单位

伏

400

安培

（上）

＆ GT ;我

（接通）个R

（ON ）最大值，V

= 10V)

漏源导通电阻

= 10V ， 0.5升

[续] ）

零栅极电压漏极电流（V

= V

DSS

, V

= 0V)

0.16

欧

（上）

0.18

250

1000

±100

µA

伏

DSS

GSS

（ TH ）

零栅极电压漏极电流（V

= 0.8 V

DSS

, V

= 0V ，T

= 125°C)

门源漏电流（V

±30V,

= 0V)

栅极阈值电压

= V

, I

= 1.0毫安）

热特性

符号

θJC

θJA

特征

结到外壳

结到环境

民

典型值

最大

单位

° C / W

050-4008版本C

0.34

注意事项：

这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。

美国

405 S.W.哥伦比亚街

德，俄勒冈州97702 -1035

F- 33700梅里捏克 - 法国

电话：（ 541 ） 382-8028

电话：（ 33 ） 5 57 92 15 15

传真：（ 541 ） 388-0364

FAX ：（ 33 ） 10 56 47 97 61

欧洲

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