D
S
G
D
S
G
S
SO
27
-2
T
APT40M42JN 400V 86A 0.042
Ω
"UL Recognized"文件号E145592 （ S）
ISOTOP
®
功率MOS IV
®
最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
, l
LM
V
GS
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
参数
漏源电压
连续漏电流@ T
C
= 25°C
漏电流脉冲
栅源电压
总功率耗散@ T
C
= 25°C
线性降额因子
1
单芯片ISOTOP
®
包
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT
40M42JN
单位
伏
安培
N - 沟道增强型高压功率MOSFET
400
86
344
±30
690
5.52
-55到150
300
和电感电流钳位
伏
瓦
W / ℃，
°C
工作和存储结温范围
焊接温度： 0.063"案件从10秒。
静态电气特性
符号
BV
DSS
特性/测试条件/型号
漏源击穿电压
(V
GS
= 0V时，我
D
= 250
µA)
在国家漏极电流
2
民
APT40M42JN
典型值
最大
单位
伏
400
I
D
（上）
APT40M42JN
86
安培
(V
DS
＆ GT ;我
D
（接通）个R
DS
（ON ）最大值，V
GS
= 10V)
漏源导通电阻
(V
GS
= 10V ， 0.5升
D
[续] ）
零栅极电压漏极电流（V
DS
= V
DSS
, V
GS
= 0V)
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 0.8 V
DSS
, V
GS
= 0V ，T
C
= 125°C)
门源漏电流（V
GS
=
±30V,
V
DS
= 0V)
栅极阈值电压
(V
DS
= V
GS
, I
D
= 5.0毫安）
2
R
DS
（上）
APT40M42JN
0.042
欧
I
DSS
I
GSS
V
GS
（ TH ）
250
1000
±100
2
4
µA
nA
伏
热特性
符号
R
θJC
R
θCS
特征
结到外壳
案例下沉
（采用高效导热化合物和面散热器表面。 ）
民
典型值
最大
单位
° C / W
050-4038冯ê
0.18
0.05
注意事项：
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
美国
405 S.W.哥伦比亚街
德，俄勒冈州97702 -1035
F- 33700梅里捏克 - 法国
电话： （ 541 ） 382-8028
电话： （ 33 ） 5 57 92 15 15
传真： （ 541 ） 388-0364
FAX ： （ 33 ） 10 56 47 97 61
欧洲
大道J.F.肯尼迪蝙蝠B4公园Cadéra北
ADPOW [ ADVANCED POWER TECHNOLOGY ]
