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APT50GF60LRD 参数 Datasheet PDF下载

APT50GF60LRD图片预览
型号: APT50GF60LRD
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内容描述: 快速IGBT⑩是新一代高压功率IGBT的。 [The Fast IGBT⑩ is a new generation of high voltage power IGBTs.]
分类和应用: 晶体晶体管开关功率控制双极性晶体管高压局域网
文件页数/大小: 7 页 / 116 K
品牌: ADPOW [ ADVANCED POWER TECHNOLOGY ]
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APT50GF60B2RD
APT50GF60LRD
600V
APT50GF60B2RD
80A
TO-264
( LRD )
快速IGBT & FRED
快速IGBT
是新一代高压功率IGBT的。使用非
穿透技术的快速IGBT ™结合了APT自由
续流超快恢复外延二极管( FRED )提供优越的
耐用性和快速开关速度。
G
T-最大
(B2RD)
•低正向压降
•高频率。切换到20KHz的
•低尾电流
•超低漏电流
• RBSOA和SCSOA评分
•超快软恢复反并联二极管
最大额定值( IGBT )
符号
V
CES
V
CGR
V
GE
I
C1
I
C2
I
CM1
I
CM2
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
参数
集电极 - 发射极电压
C
G
E
C
C
E
APT50GF60LRD
G
E
APT50GF60B2RD/LRD
单位
所有评分:T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
600
RY
A
IN
集电极 - 栅极电压(R
GE
= 20KΩ)
栅极 - 发射极电压
连续集电极电流@ T
C
= 25°C
连续集电极电流@ T
C
= 90°C
集电极电流脉冲
集电极电流脉冲
总功耗
1
1
600
±20
80
50
160
100
300
-55到150
300
°C
安培
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 90°C
工作和存储结温范围
马克斯。铅温度。用于焊接: 0.063"案件从10秒。
静态电气特性( IGBT )
符号
BV
CES
V
GE
( TH )
V
CE
(上)
特性/测试条件
集电极 - 发射极击穿电压(V
GE
= 0V时,我
C
= 0.50毫安)
栅极阈值电压
(V
CE
= V
GE
, I
C
= 700μA ,T
j
= 25°C)
典型值
最大
单位
PR
EL
IM
600
4.5
5.5
2.1
2.2
6.5
2.7
2.8
0.50
mA
nA
052-6253修订版A
集电极 - 发射极上的电压(V
GE
= 15V ,我
C
= I
C2
, T
j
= 25°C)
集电极 - 发射极上的电压(V
GE
= 15V ,我
C
= I
C2
, T
j
= 125°C)
集电极截止电流(V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V ,T
j
= 25°C)
集电极截止电流(V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V ,T
j
= 125°C)
栅极 - 射极漏电流(V
GE
=
±20V,
V
CE
= 0V)
2
2
I
CES
I
GES
待定
±100
注意事项:
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
美国
405 S.W.哥伦比亚街
APT网站 - http://www.advancedpower.com
德,俄勒冈州97702 -1035
F- 33700梅里捏克 - 法国
电话: ( 541 ) 382-8028
电话: ( 33 ) 5 57 92 15 15
传真: ( 541 ) 388-0364
FAX : ( 33 ) 10 56 47 97 61
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