欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
会员中心
企业资讯   人才招聘  
电子百科

电子百科

Datasheet下载 IC品牌 缩略语 技术文章 IC型号

产品导航

ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ0123456789
PDF
  • 产品
  • PDF

    • 最近搜索

    热门搜索

    搜索
    发布采购

    APT50M85JVFR 参数 Datasheet PDF下载

    APT50M85JVFR图片预览
    型号： APT50M85JVFR
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 功率MOS V是新一代高压N沟道增强型功率MOSFET 。 [Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲高压局域网
    文件页数/大小： 4 页 / 80 K
    品牌： ADPOW [ ADVANCED POWER TECHNOLOGY ]
     浏览型号APT50M85JVFR的Datasheet PDF文件第1页浏览型号APT50M85JVFR的Datasheet PDF文件第2页浏览型号APT50M85JVFR的Datasheet PDF文件第4页  
    APT50M85JVFR
    150
    I
    D
    ，漏极电流（安培）
    VGS = 7V ， 10V 15V &
    I
    D
    ，漏极电流（安培）
    150
    VGS=15V
    VGS=10V
    VGS=7V
    90
    5.5V
    60
    5V
    30
    4.5V
    4V
    0
    4
    8
    12
    16
    20
    V
    DS
    ，漏极至源极电压（伏）
    图3 ，典型输出特性
    0
    R
    DS
    （ON ） ，漏极至源极导通电阻
    1.5
    V
    GS
    120
    6V
    90
    5.5V
    60
    5V
    30
    4.5V
    4V
    0
    50
    100
    150
    200
    250
    V
    DS
    ，漏极至源极电压（伏）
    图2 ，典型输出特性
    0
    150
    TJ = -55°C
    TJ = + 25°C
    TJ = + 125°C
    90
    VDS>的ID （ON ）× R DS（ ON）的最大值。
    250μSEC 。脉冲测试
    @ <0.5 ％占空比
    120
    6V
    归一
    = 10V @ 0.5 I [续]
    D
    I
    D
    ，漏极电流（安培）
    120
    1.4
    1.3
    1.2
    1.1
    1.0
    0.9
    VGS=10V
    VGS=20V
    60
    TJ = + 125°C
    TJ = + 25°C
    0
    TJ = -55°C
    30
    0
    2
    4
    6
    8
    V
    GS
    ，栅极至源极电压（伏）
    图4 ，一般传输特性
    50
    I
    D
    ，漏极电流（安培）
    0
    30
    60
    90
    120
    150
    I
    D
    ，漏极电流（安培）
    图5中，R
    DS
    （ ON）与漏电流
    40
    BV
    DSS
    ，漏极 - 源极击穿
    电压（归）
    25
    I = 0.5 I [续]
    D
    D
    1.15
    1.10
    30
    1.05
    20
    1.00
    10
    0.95
    50
    75
    100
    125
    150
    T
    C
    ，外壳温度（ ° C）
    图6 ，最大漏极电流与外壳温度
    R
    DS
    （ON ） ，漏极至源极导通电阻
    （归一化）
    2.5
    V
    0
    -25
    0
    25 50 75 100 125 150
    T
    J
    ，结温（ ° C）
    图7 ，击穿电压与温度
    1.2
    V
    GS
    （ TH ） ，阈值电压
    （归一化）
    0.90
    -50
    GS
    = 10V
    2.0
    1.1
    1.0
    0.9
    0.8
    0.7
    050-5621冯 -
    1.5
    1.0
    0.5
    0.0
    -50
    -25
    0
    25 50
    75 100 125 150
    T
    J
    ，结温（ ° C）
    图8 ，导通电阻与温度
    -25
    0
    25 50 75 100 125 150
    T
    C
    ，外壳温度（ ° C）
    图9 ，阈值电压与温度
    0.6
    -50

    IC37:专业IC行业平台

    专业IC领域供求交易平台:提供全面的IC Datasheet资料和资讯，Datasheet 1000万数据，IC品牌1000多家。

    网站导航 Datasheet资料库 电子术语 电子百科
    服务中心 常见问题 委托交易 会员服务
    关于我们 公司简介 联系我们 免责申明

    产品索引：ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ0123456789

    深圳网络警察报警平台 公共信息安全网络监察 经营性网站备案信息 不良信息举报中心 工商网监电子标识 全国公安机关备案
    服务电话： 0755-32882616 0755-32882606 0755-32882608 0755-32882607 0755-32882615 值班和投诉电话：13715251531 ©2004-2024 IC37网 版权所有：ic37.com 版权申明 公网安备44030402000606 粤ICP备13051289号-6