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APT50GP60J 参数 Datasheet PDF下载

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型号: APT50GP60J
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内容描述: 功率MOS 7 IGBT [POWER MOS 7 IGBT]
分类和应用: 晶体晶体管功率控制瞄准线双极性晶体管局域网
文件页数/大小: 6 页 / 100 K
品牌: ADPOW [ ADVANCED POWER TECHNOLOGY ]
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APT50GP60J
600V
功率MOS 7 IGBT
G
功率MOS 7 IGBT是新一代高压功率IGBT的。
使用穿通科技这IGBT适用于多种频率高,
高电压开关应用,并已被优化用于高频率
开关模式电源。
®
®
E
C
E
SO
ISOTOP
®
2
-2
T
7
"UL Recognized"
•低传导损耗
•低栅极电荷
•超快尾电流关断
• 200 kHz的工作频率@ 400V , 19A
• 100 kHz的工作频率@ 400V , 26A
•额定SSOA
G
E
C
最大额定值
符号
V
CES
V
GE
V
创业板
I
C1
I
C2
I
CM
SSOA
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
参数
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
栅极 - 射极电压瞬态
连续集电极电流@ T
C
= 25°C
连续集电极电流@ T
C
= 110°C
集电极电流脉冲
1
所有评分:T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT50GP60J
单位
600
±20
±30
100
46
190
190A@600V
329
-55到150
300
°C
安培
@ T
C
= 25°C
安全工作区@ T
J
= 150°C
总功耗
工作和存储结温范围
马克斯。铅温度。用于焊接: 0.063"案件从10秒。
静态电气特性
符号
BV
CES
V
GE (日)
V
CE (ON)的
特性/测试条件
集电极 - 发射极击穿电压(V
GE
= 0V时,我
C
= 500µA)
栅极阈值电压
(V
CE
= V
GE
, I
C
= 1毫安,T
j
= 25°C)
典型值
最大
单位
600
3
4.5
2.2
2.1
500
2
6
2.7
集电极 - 发射极上的电压(V
GE
= 15V ,我
C
= 50A ,T
j
= 25°C)
集电极 - 发射极上的电压(V
GE
= 15V ,我
C
= 50A ,T
j
= 125°C)
集电极截止电流(V
CE
= 600V, V
GE
= 0V ,T
j
= 25°C)
集电极截止电流(V
CE
= 600V, V
GE
= 0V ,T
j
= 125°C)
栅极 - 射极漏电流(V
GE
= ±20V)
2
I
CES
I
GES
µA
nA
4-2003
050-7435
REV A
2500
±100
注意事项:
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
APT网站 - http://www.advancedpower.com